恭喜爱思开海力士有限公司崔康植获国家专利权
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龙图腾网恭喜爱思开海力士有限公司申请的专利存储器件及其制造方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114141862B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-06-03发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202110441908.6，技术领域涉及：H10D62/17；该发明授权存储器件及其制造方法是由崔康植设计研发完成，并于2021-04-23向国家知识产权局提交的专利申请。
本存储器件及其制造方法在说明书摘要公布了：本公开涉及一种高度集成的存储器件及其制造方法。根据本公开，一种存储器件包括：下部结构；有源层，其平行于下部结构的表面水平地取向；位线，其连接至有源层的第一端并相对于下部结构的表面竖直地取向；电容器，其连接至有源层的第二端；字线，其沿着有源层的侧表面水平地取向而平行于有源层；以及鳍式沟道层，其从所述有源层的一个侧表面开始水平地延伸，其中，字线包括覆盖鳍式沟道层的突出部。
本发明授权存储器件及其制造方法在权利要求书中公布了：1.一种存储器件，包括：下部结构；有源层，其竖直地层叠并平行于所述下部结构的表面而水平地取向；位线，其连接至所述有源层的第一端并相对于所述下部结构的表面竖直地取向；电容器，其连接至每个所述有源层的第二端；字线，其沿着所述有源层的各个侧表面水平地取向而平行于所述有源层；鳍式沟道层，其从每个所述有源层的侧表面开始水平地延伸以平行于所述下部结构的表面，其中，每个所述字线包括覆盖每个所述鳍式沟道层的突出部；以及有源主体，其从所述下部结构竖直地取向并共同连接至所述有源层。
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2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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