恭喜隆达电子股份有限公司汪信全获国家专利权
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龙图腾网恭喜隆达电子股份有限公司申请的专利发光二极管结构获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115117213B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-06-03发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202110307377.1，技术领域涉及：H10H20/831；该发明授权发光二极管结构是由汪信全;蔡宗良;周秀玫;罗锦宏设计研发完成，并于2021-03-23向国家知识产权局提交的专利申请。
本发光二极管结构在说明书摘要公布了：本揭露提出一种发光二极管结构，包括基板、第一半导体层、发光层、第二半导体层、半导体接触层、第一导电层及第二导电层。第一半导体层设置于基板上，并具有第一厚度结构及第二厚度结构，且第一厚度结构的第一厚度大于第二厚度结构的第二厚度。发光层设置于第一厚度结构上。第二半导体层设置于发光层上，且第二半导体层的掺杂型态与第一半导体层不同。半导体接触层设置于第二厚度结构上，半导体接触层及发光层在基板的垂直投影不重叠也不接触，且半导体接触层的掺杂型态与第一半导体层相同。本揭露降低了顺向操作电压及元件废热，且提升输出功率并改善元件可靠度。
本发明授权发光二极管结构在权利要求书中公布了：1.一种发光二极管结构，其特征在于，包括：基板；第一半导体层，设置于该基板之上，该第一半导体层包括：第一厚度结构；以及第二厚度结构，其中该第一厚度结构的第一厚度大于该第二厚度结构的第二厚度；发光层，设置于该第一半导体层的该第一厚度结构之上；第二半导体层，设置于该发光层之上，该第二半导体层的掺杂型态与该第一半导体层的掺杂型态相异；半导体接触层，设置于该第一半导体层的该第二厚度结构之上，其中该半导体接触层及该发光层于该基板的垂直投影不重叠也不接触，该半导体接触层的掺杂型态与该第一半导体层的掺杂型态相同，且该半导体接触层包含多个贯穿孔，所述多个贯穿孔沿着厚度方向贯穿该半导体接触层；第一导电层，设置于该半导体接触层之上；以及第二导电层，设置于该第二半导体层之上。
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2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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