恭喜台湾积体电路制造股份有限公司王晨晨获国家专利权
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龙图腾网恭喜台湾积体电路制造股份有限公司申请的专利包括铁电存储器的半导体器件及其形成方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN113540098B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-06-03发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202110175027.4，技术领域涉及：H10B51/30；该发明授权包括铁电存储器的半导体器件及其形成方法是由王晨晨;杨世海;徐志安;林佑明设计研发完成，并于2021-02-07向国家知识产权局提交的专利申请。
本包括铁电存储器的半导体器件及其形成方法在说明书摘要公布了：本公开涉及包括铁电存储器的半导体器件及其形成方法。半导体器件包括形成在晶体管之上的电容器，该电容器具有使第一电极与接触件隔离的存储膜。在实施例中，一种半导体器件包括：栅极堆叠，在半导体衬底之上；电容器，在栅极堆叠之上，该电容器包括：第一电极，沿栅极堆叠的顶表面延伸，第一电极为U形；第一铁电层，在第一电极之上；以及第二电极，在第一铁电层之上，第二电极的顶表面与第一铁电层的顶表面齐平，并且与第一电极的最顶表面相比，第一铁电层的顶表面和第二电极的顶表面被设置为距离半导体衬底更远。
本发明授权包括铁电存储器的半导体器件及其形成方法在权利要求书中公布了：1.一种半导体器件，包括：栅极堆叠，在半导体衬底之上；第一电介质层，沿所述栅极堆叠的顶表面延伸；电容器，在所述栅极堆叠之上，所述电容器包括：第一电极，沿所述栅极堆叠的顶表面延伸，所述第一电极为U形，其中，所述第一电极包括沿所述栅极堆叠延伸的第一部分和沿所述第一电介质层的侧表面延伸的第二部分，其中，所述第一部分和所述第二部分是不连续的；第一铁电层，在所述第一电极之上；以及第二电极，在所述第一铁电层之上，其中，所述第二电极的顶表面与所述第一铁电层的顶表面齐平，并且其中，与所述第一电极的最顶表面相比，所述第一铁电层的顶表面和所述第二电极的顶表面被设置为距离所述半导体衬底更远。
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2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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