买专利卖专利找龙图腾，真高效！ 查专利查商标用IPTOP,全免费！专利年费监控用IP管家,真方便！

龙图腾网恭喜株式会社索思未来申请的专利半导体存储装置获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115066752B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-06-03发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202180013655.0，技术领域涉及：H10B10/00；该发明授权半导体存储装置是由广濑雅庸;村濑泰规设计研发完成，并于2021-02-03向国家知识产权局提交的专利申请。

本半导体存储装置在说明书摘要公布了：纳米片21～23沿X方向按照纳米片21～23的顺序排列而成。纳米片24～26沿X方向按照纳米片24～26的顺序排列而成。在埋入式布线层中，在俯视时在纳米片22与纳米片25之间形成有电源布线11。纳米片22的X方向上的一侧即第一侧的面从栅极布线32露出。纳米片25的X方向上的另一侧即第二侧的面从栅极布线35露出。

本发明授权半导体存储装置在权利要求书中公布了：1.一种半导体存储装置，其包括单端口SRAM单元，其特征在于：所述单端口SRAM单元包括第一晶体管、第二晶体管、第三晶体管、第四晶体管、第五晶体管以及第六晶体管，所述第一晶体管的一节点与供给第一电压的第一电源相连，另一节点与第一节点相连，栅极与第二节点相连，所述第二晶体管的一节点与所述第一电源相连，另一节点与所述第二节点相连，栅极与所述第一节点相连，所述第三晶体管的一节点与所述第一节点相连，另一节点与供给第二电压的第二电源相连，栅极与所述第二节点相连，所述第二电压与所述第一电压不同，所述第四晶体管的一节点与所述第二节点相连，另一节点与所述第二电源相连，栅极与所述第一节点相连，所述第五晶体管的一节点与第一位线相连，另一节点与所述第一节点相连，栅极与字线相连，所述第六晶体管的一节点与第二位线相连，另一节点与所述第二节点相连，栅极与所述字线相连，所述第二位线与所述第一位线构成互补位线对，所述第一晶体管包括第一纳米片和第一栅极布线，所述第二晶体管包括第二纳米片和第二栅极布线，所述第三晶体管包括第三纳米片和第三栅极布线，所述第四晶体管包括第四纳米片和第四栅极布线，所述第五晶体管包括第五纳米片和第五栅极布线，所述第六晶体管包括第六纳米片和第六栅极布线，所述第一纳米片～所述第六纳米片沿第一方向延伸，所述第一栅极布线包围所述第一纳米片的、第二方向和第三方向上的外周，所述第二栅极布线包围所述第二纳米片的、第二方向和第三方向上的外周，所述第三栅极布线包围所述第三纳米片的、第二方向和第三方向上的外周，所述第四栅极布线包围所述第四纳米片的、第二方向和第三方向上的外周，所述第五栅极布线包围所述第五纳米片的、第二方向和第三方向上的外周，所述第六栅极布线包围所述第六纳米片的、第二方向和第三方向上的外周，所述第二方向垂直于所述第一方向，所述第三方向垂直于所述第一方向和所述第二方向，所述第一纳米片、所述第三纳米片以及所述第六纳米片沿所述第二方向按照所述第六纳米片、所述第一纳米片、所述第三纳米片的顺序排列而成，所述第二纳米片、所述第四纳米片以及所述第五纳米片沿所述第二方向按照所述第四纳米片、所述第二纳米片、所述第五纳米片的顺序排列而成，所述第一纳米片的、所述第二方向上的任一侧的面从所述第一栅极布线露出，所述第二纳米片的、所述第二方向上的任一侧的面从所述第二栅极布线露出，所述第三纳米片的、所述第二方向上的任一侧的面从所述第三栅极布线露出，所述第四纳米片的、所述第二方向上的任一侧的面从所述第四栅极布线露出，所述第五纳米片的、所述第二方向上的任一侧的面从所述第五栅极布线露出，所述第六纳米片的、所述第二方向上的任一侧的面从所述第六栅极布线露出，在比所述第一晶体管～所述第六晶体管靠下的下层形成有第一电源布线，当俯视时所述第一电源布线在所述第一纳米片与所述第二纳米片之间沿所述第一方向延伸，并且供给所述第一电压，所述第一纳米片的在所述第二方向上与第一侧相反的一侧即第二侧的面从所述第一栅极布线露出，所述第一电源布线形成在所述第一纳米片的所述第一侧，所述第二纳米片的在所述第二方向上与所述第二侧相反的一侧即所述第一侧的面从所述第二栅极布线露出，所述第一电源布线形成在所述第二纳米片的所述第二侧。

如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人株式会社索思未来，其通讯地址为：日本神奈川县；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。