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龙图腾网恭喜广东佛智芯微电子技术研究有限公司申请的专利具有屏蔽功能的芯片封装结构及其封装方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN112687549B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-06-03发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202011576405.1，技术领域涉及：H01L21/48；该发明授权具有屏蔽功能的芯片封装结构及其封装方法是由崔成强;杨斌;罗绍根设计研发完成，并于2020-12-28向国家知识产权局提交的专利申请。

本具有屏蔽功能的芯片封装结构及其封装方法在说明书摘要公布了：本发明公开具有屏蔽功能的芯片封装方法，包括：提供玻璃材质的第二衬底和贴于其一侧的介电层，在介电层一侧成型嵌入至介电层内的第一重布线层，于第一重布线层与介电层平齐的表面成型若干凹槽，制得第一子基底；提供玻璃材质的第三衬底，在第三衬底制作金属屏蔽层以及若干嵌入至第三衬底和金属屏蔽层内的导电柱，使导电柱具有凸出于金属屏蔽层的凸台，制得第二子基底；将凸台对准并嵌入至凹槽内，使第一子基底和第二子基底贴合连接，制得芯片封装用基底；提供若干芯片组，将其倒装于线路外露的一侧，对芯片组进行塑封并于线路的另一侧将芯片组电性引出。本发明可有效降低芯片封装产生的翘曲，增强芯片电磁屏蔽功能，提高芯片封装结构良率。

本发明授权具有屏蔽功能的芯片封装结构及其封装方法在权利要求书中公布了：1.一种具有屏蔽功能的芯片封装方法，其特征在于，包括：提供玻璃材质的第二衬底和贴于所述第二衬底一侧的介电层，在所述介电层远离所述第二衬底的一侧成型嵌入至所述介电层内并于所述介电层的一表面平齐的第一重布线层，于所述第一重布线层与所述介电层平齐的表面成型若干凹槽，制得第一子基底；提供玻璃材质的第三衬底，在所述第三衬底上制作金属屏蔽层以及制作若干嵌入至所述第三衬底和所述金属屏蔽层内的导电柱，并使所述导电柱具有凸出于所述金属屏蔽层的凸台以及使所述凸台与所述凹槽的位置一一对应，制得第二子基底；将所述凸台对准并嵌入至所述凹槽内，并使所述第一子基底和所述第二子基底贴合连接，制得芯片封装用基底，至少所述导电柱和所述第一重布线层组成所述芯片封装用基底的线路；提供若干芯片组，将所述芯片组倒装于所述线路外露的一侧并与所述线路电连接，对所述芯片组进行塑封并于所述线路的另一侧将所述芯片组电性引出。

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