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龙图腾网恭喜中国科学院微电子研究所;真芯(北京)半导体有限责任公司申请的专利一种半导体制造设备获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114678250B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-06-03发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202011562840.9，技术领域涉及：H01J37/32；该发明授权一种半导体制造设备是由将镇宪;白国斌;高建峰;王桂磊;田光辉;丁云凌设计研发完成，并于2020-12-25向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种半导体制造设备在说明书摘要公布了：本发明涉及一种半导体制造设备，包括：腔室，所述腔室包括：筒形的侧壁、与所述侧壁的底部端口连接的底壁以及位于所述侧壁的顶部端口的顶盖，所述侧壁、底壁与顶盖围成一容纳空间；气体流动组件，其包括气流管和气流孔，所述气流孔设置在所述侧壁和或底壁上，所述气流管的一端与所述气流孔连通，所述气流管的另一端与气体入口连通，使得提供的气体通过所述气体入口进入所述气流管和气流孔而流向所述容纳空间。本发明能够防止残留物质形成颗粒或者粉状物，从而降低颗粒或者粉状物对半导体器件的损伤，提高了半导体器件的产品良率。

本发明授权一种半导体制造设备在权利要求书中公布了：1.一种半导体制造设备，其特征在于，包括：腔室，所述腔室包括：筒形的侧壁、与所述侧壁的底部端口连接的底壁以及位于所述侧壁的顶部端口的顶盖，所述侧壁、底壁与顶盖围成一容纳空间；气体流动组件，其包括气流管和气流孔，所述气流孔设置在所述侧壁和底壁上，所述气流管嵌设在所述侧壁和底壁的内部，所述气流管的一端与所述气流孔连通，所述气流管的另一端与气体入口连通，所述气流孔处设置有喷嘴，所述喷嘴与气流管的所述一端连接，喷嘴的底部开口形状为网格状，使得提供的气体通过所述气体入口进入所述气流管和气流孔，通过所述喷嘴喷向所述容纳空间；所述喷嘴为多个，多个喷嘴均匀分布在侧壁和底壁上，多个喷嘴配置多个气流管，多个气流管与气体入口连通，多个喷嘴对称分布；所述气体入口为多个，气体入口也对称分布；所述气体入口与提供气体的设备连通，在气流管上或者气流管至所述提供气体的设备的管路上设置阀门，所述提供气体的设备与控制部件电连接，使得当所述半导体制造设备开始运行时，所述控制部件控制所述提供气体的设备开始提供气体；所述半导体制造设备为刻蚀设备，其还包括：远程等离子体化学反应器，设置在所述顶盖上；喷头，与所述远程等离子体化学反应器连通且设置在所述容纳空间；真空管道，其一端与所述底壁中间处的一开口密闭连通，另一端连接真空泵。

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