恭喜安靠科技新加坡控股私人有限公司矢田贵弘获国家专利权
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龙图腾网恭喜安靠科技新加坡控股私人有限公司申请的专利半导体装置和制造半导体装置的方法获国家发明授权专利权,本发明授权专利权由国家知识产权局授予,授权公告号为:CN113013133B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-06-03发布的发明授权授权公告中获悉:该发明授权的专利申请号/专利号为:202011483941.7,技术领域涉及:H01L23/498;该发明授权半导体装置和制造半导体装置的方法是由矢田贵弘;高岩司设计研发完成,并于2020-12-16向国家知识产权局提交的专利申请。
本半导体装置和制造半导体装置的方法在说明书摘要公布了:半导体装置及制造半导体装置的方法。在一个实例中,一种半导体结构或装置包括:衬底,所述衬底包括导电结构,所述导电结构具有顶侧和在所述导电结构的所述顶侧上的第一屏蔽端子;电子组件,所述电子组件处于所述导电结构的所述顶侧上;封装体,所述封装体处于所述导电结构的所述顶侧上并且接触所述电子组件的一侧;屏蔽件,所述屏蔽件处于所述封装体的顶侧和所述封装体的侧面上;以及屏蔽互连件,所述屏蔽互连件将所述屏蔽件耦接到所述导电结构的所述第一屏蔽端子。本文中还公开了其它实例和相关方法。
本发明授权半导体装置和制造半导体装置的方法在权利要求书中公布了:1.一种半导体结构,其包括:衬底,所述衬底包括导电结构,所述导电结构具有顶侧和在所述导电结构的所述顶侧上的第一屏蔽端子;电子组件,所述电子组件处于所述导电结构的所述顶侧上;封装体,所述封装体处于所述导电结构的所述顶侧上并且接触所述电子组件的一侧;屏蔽件,所述屏蔽件处于所述封装体的顶侧和所述封装体的侧面上;以及屏蔽互连件,所述屏蔽互连件将所述屏蔽件耦接到所述导电结构的所述第一屏蔽端子;其中所述导电结构包括水平延伸的系杆,水平延伸的所述系杆具有水平宽度及垂直高度,所述水平宽度大于所述垂直高度;并且所述第一屏蔽端子在水平延伸的所述系杆上;并且其中:所述导电结构包括与所述电子组件相邻的管芯垫;所述第一屏蔽端子处于所述导电结构的系杆或引线中的一个上;第二屏蔽端子在所述管芯垫上;并且所述屏蔽互连件耦接到所述第一屏蔽端子、所述第二屏蔽端子和所述屏蔽件。
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