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龙图腾网恭喜江苏华兴激光科技有限公司申请的专利一种850nm波段单载流子高速探测器获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN112259626B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-06-03发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202011264776.6，技术领域涉及：H10F77/14；该发明授权一种850nm波段单载流子高速探测器是由徐鹏飞;王岩;罗帅;季海铭设计研发完成，并于2020-11-12向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种850nm波段单载流子高速探测器在说明书摘要公布了：本发明涉及半导体光电子器件技术领域，尤其涉及一种850nm波段单载流子高速探测器，其不同之处在于：其包括入射端，所述入射端上由下至上依次包括衬底、第一收集层、第二收集层、过渡层、p型多量子阱吸收层、p型阻挡层和p型接触层，还包括正电极层和负电极层，所述正电极层位于所述p型接触层上，所述负电极层位于所述第一收集层上且位于所述第二收集层的一侧。本发明适于850nm波段工作，有利于提高探测器响应速率，增大探测带宽。

本发明授权一种850nm波段单载流子高速探测器在权利要求书中公布了：1.一种850nm波段单载流子高速探测器，其特征在于：其包括入射端，所述入射端上由下至上依次包括衬底、第一收集层、第二收集层、过渡层、p型多量子阱吸收层、p型阻挡层和p型接触层，还包括正电极层和负电极层，所述正电极层位于所述p型接触层上，所述负电极层位于所述第一收集层上且位于所述第二收集层的一侧；所述入射端为850nm波段的增透介质膜层，其为双层混合结构，包括第一介质膜层和第二介质膜层，二者的光学厚度和为850nm的四分之一；其中，第一介质膜层为氧化铝层，第二介质膜层为氧化硅层，其中氧化硅层在氧化铝层下方；所述过渡层由下至上依次包括电荷层、下过渡层和上过渡层，所述电荷层为n型GaAs材料，厚度为5-15nm，掺杂浓度为1x1018cm-3，所述电荷层能够通过注入电荷提高电场，加速载流子漂移运动；所述下过渡层为i型InGaAsP材料，厚度为10-20nm，掺杂浓度为1x1015cm-3；所述上过渡层为i型InGaAs材料，厚度为5-15nm，掺杂浓度为1x1015cm-3。

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