恭喜格科微电子(上海)有限公司徐涛获国家专利权
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龙图腾网恭喜格科微电子(上海)有限公司申请的专利CMOS图像传感器及其形成方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN113675224B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-06-03发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202010401783.X，技术领域涉及：H10F39/18；该发明授权CMOS图像传感器及其形成方法是由徐涛;郑展;付文设计研发完成，并于2020-05-13向国家知识产权局提交的专利申请。
本CMOS图像传感器及其形成方法在说明书摘要公布了：本发明提供一种CMOS图像传感器及其形成方法，所述CMOS图像传感器包括：若干像素单元、位于所述像素单元上部的微透镜结构；所述微透镜结构包括：由多层透光铺设层堆叠的微透镜核，以及包覆所述微透镜核的微透镜外层，其中，多层透光铺设层具有不完全相同的折射率。本发明通过以透光铺设层作为硬掩模，形成多层透光铺设层构成的微透镜核，能够提高光刻和刻蚀工艺稳定性，并且所形成的图像传感器光敏感性和相对照度更好，像素之间的串扰更小。
本发明授权CMOS图像传感器及其形成方法在权利要求书中公布了：1.一种CMOS图像传感器，其特征在于，包括：若干像素单元、位于所述像素单元上部的微透镜结构；所述微透镜结构包括：由多层透光铺设层堆叠的微透镜核，以及包覆所述微透镜核的微透镜外层，其中，多层透光铺设层具有不完全相同的折射率；所述微透镜核为：沿光路方向由下而上依次层叠的第一层透光铺设层至第N-1层透光铺设层，所述第一层透光铺设层至第N-1层透光铺设层的折射率依次为n1至nN-1；所述微透镜外层的折射率为nN；其中，N为大于等于3的自然数；所述透光铺设层或微透镜外层的材质选用SiN、SiO2或SiON，所述n1至nN先变大后变小；其中，所述第N-1层透光铺设层的材质为SiN或SiON，所述第N-1层透光铺设层为形成所述微透镜核的硬掩模层。
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2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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