恭喜电导魔方股份有限公司林裕承获国家专利权
买专利卖专利找龙图腾，真高效！ 查专利查商标用IPTOP,全免费！专利年费监控用IP管家,真方便！
龙图腾网恭喜电导魔方股份有限公司申请的专利肖特基二极管及其制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN113853685B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-06-03发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202080037348.1，技术领域涉及：H10D8/60；该发明授权肖特基二极管及其制备方法是由林裕承;姜兑咏;庆信秀设计研发完成，并于2020-03-24向国家知识产权局提交的专利申请。
本肖特基二极管及其制备方法在说明书摘要公布了：提供了一种肖特基二极管及其制备方法。提供了一种肖特基二极管。肖特基二极管包括：氧化镓层，其为掺杂有第一型掺杂剂的半导体层；阴极，形成与氧化镓层的欧姆接触；以及阳极，具有与氧化镓层形成肖特基接触的肖特基接触金属层。氧化镓层包括中间层，该中间层和与肖特基接触金属层的界面接触并且包含导电性与第一型掺杂剂相反的第二型掺杂剂，其中第二型掺杂剂的浓度在远离与肖特基接触金属层的界面的方向上逐渐降低。
本发明授权肖特基二极管及其制备方法在权利要求书中公布了：1.一种肖特基二极管，包括：氧化镓层，所述氧化镓层为掺杂有第一型掺杂剂的半导体层；阴极，所述阴极与所述氧化镓层欧姆接触；以及阳极，所述阳极具有与所述氧化镓层肖特基接触的肖特基接触金属层，其中，所述氧化镓层和所述氧化镓层与所述肖特基接触金属层的界面接触，包含导电性与所述第一型掺杂剂的导电性相反的第二型掺杂剂，并且具有中间层，所述中间层包含所述第二型掺杂剂，所述第二型掺杂剂从所述肖特基接触金属层扩散到所述氧化镓层中，使得所述第二型掺杂剂的浓度随着其远离所述氧化镓层与所述肖特基接触金属层的所述界面而降低，所述中间层与所述肖特基接触金属层形成肖特基接触，并且所述中间层增加所述界面处的肖特基势垒高度。
如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人电导魔方股份有限公司，其通讯地址为：韩国京畿道；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。
免责声明
1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
开放平台
担保交易
惠及多方
会员特惠
专属平台
适合多方
数据共享
功能齐全
皖公网安备 34010402703815号