恭喜加利福尼亚大学董事会神川刚获国家专利权
买专利卖专利找龙图腾，真高效！ 查专利查商标用IPTOP,全免费！专利年费监控用IP管家,真方便！
龙图腾网恭喜加利福尼亚大学董事会申请的专利平坦化外延横向生长层上的表面的方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN113632200B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-06-03发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202080024824.6，技术领域涉及：H01L21/02；该发明授权平坦化外延横向生长层上的表面的方法是由神川刚;S.甘德罗图拉设计研发完成，并于2020-03-02向国家知识产权局提交的专利申请。
本平坦化外延横向生长层上的表面的方法在说明书摘要公布了：一种平坦化外延横向过度生长ELO层上的表面的方法，导致获得具有岛状III族氮化物半导体层的平滑表面。岛状III族氮化物半导体层是通过在ELO层彼此聚结之前停止它们的生长而形成的。然后，在生长至少一些III族氮化物器件层之前移除生长限制掩模。移除掩模减少了对岛状III族氮化物半导体层的侧分面的过量气体供应，这有助于在岛状III族氮化物半导体层上获得平滑的表面。该方法还避免了由来自掩模的分解的n型掺杂剂诸如硅和氧原子对p型层的补偿。
本发明授权平坦化外延横向生长层上的表面的方法在权利要求书中公布了：1.一种用于制造半导体层的方法，包括：制备在基板上的生长限制掩模上或上方生长的多个外延横向过度生长ELOIII族氮化物层，其中多个ELOIII族氮化物层中相邻的ELOIII族氮化物层彼此分离；移除所述生长限制掩模中的至少部分；以及在所述多个ELOIII族氮化物层和所述基板上或上方生长多个III族氮化物器件层，其中所述多个III族氮化物器件层彼此分离；其中：在生长所述多个ELOIII族氮化物层之后和在生长所述多个III族氮化物器件层中的至少一些之前移除所述生长限制掩模；在所述多个III族氮化物器件层的生长期间发生移除所述生长限制掩模的底层的生长；以及所述多个ELOIII族氮化物层的高度防止所述底层连接至所述ELOIII族氮化物层。
如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人加利福尼亚大学董事会，其通讯地址为：美国加利福尼亚州；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。
免责声明
1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
开放平台
担保交易
惠及多方
会员特惠
专属平台
适合多方
数据共享
功能齐全
皖公网安备 34010402703815号