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龙图腾网恭喜富士电机株式会社申请的专利碳化硅半导体装置获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN111834448B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-06-03发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202010105742.6，技术领域涉及：H10D12/00；该发明授权碳化硅半导体装置是由荒冈干设计研发完成，并于2020-02-21向国家知识产权局提交的专利申请。

本碳化硅半导体装置在说明书摘要公布了：本发明提供能够防止绝缘破坏的碳化硅半导体装置。栅极多晶硅层的第一部分在边缘终端区隔着栅极绝缘膜设置在半导体基板的正面的第一表面上，构成栅极流道。栅极多晶硅层的第一部分沿深度方向Z与边缘p++型接触区对置。栅极多晶硅层的第一部分的芯片端部侧的端部位于边缘p++型接触区的面内。场氧化膜从芯片端部向芯片中央侧延伸，并在半导体基板的正面的第一表面上终止于比栅极多晶硅层的第一部分更靠芯片端部侧的位置，与栅极多晶硅层分离地配置。因此，在栅极多晶硅层的表面不产生因场氧化膜而引起的阶梯，遍及栅极多晶硅层的整个表面是平坦的。场氧化膜的芯片中央侧的端部位于比边缘p++型接触区更靠芯片端部侧的位置，位于p型基区上。

本发明授权碳化硅半导体装置在权利要求书中公布了：1.一种碳化硅半导体装置，其特征在于，具备：绝缘栅极结构，其在有源区，设置在由碳化硅构成的半导体基板的正面侧，并且具有绝缘栅双极型晶体管的金属-氧化膜-半导体这三层结构；第一导电型半导体层，其构成所述半导体基板，并且构成所述绝缘栅双极型晶体管的漂移区；第二导电型半导体层，其设置在所述半导体基板的正面与所述第一导电型半导体层之间，构成所述半导体基板，并且构成所述绝缘栅双极型晶体管的基区；沟槽，其设置在所述半导体基板的正面侧，并沿着与所述半导体基板的正面平行的第一方向延伸；所述绝缘栅双极型晶体管的栅电极，其隔着绝缘膜而设置在所述沟槽的内部；第二导电型高浓度区，其杂质浓度高于所述第二导电型半导体层的杂质浓度，并在包围所述有源区的周围的终端区，设置在所述半导体基板的正面的表面区域，且形成杂质浓度与所述第二导电型半导体层的杂质浓度不同的第二导电型结；层间绝缘膜，其以覆盖所述栅电极的方式，设置于所述半导体基板的整个正面；第一栅极多晶硅层，其隔着所述绝缘膜而设置在所述半导体基板的正面上，在深度方向上隔着所述绝缘膜而与所述第二导电型高浓度区对置，并以矩形状的方式包围所述有源区的周围，且在所述沟槽的端部与所述栅电极电连接并且设置于所述层间绝缘膜之下；以及场氧化膜，其在所述终端区，隔着所述绝缘膜而设置在所述半导体基板的正面上，从外侧向内侧延伸，并以矩形状的方式包围所述第一栅极多晶硅层的周围，所述场氧化膜的四边中的、至少与第二方向平行的部位在比所述第一栅极多晶硅层更靠外侧的位置终止，所述第二方向与所述第一方向正交。

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