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恭喜意法半导体股份有限公司C·M·伊波利托获国家专利权

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龙图腾网恭喜意法半导体股份有限公司申请的专利放大接口以及用于校正放大接口的对应测量系统和方法获国家发明授权专利权,本发明授权专利权由国家知识产权局授予,授权公告号为:CN111555721B

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-06-03发布的发明授权授权公告中获悉:该发明授权的专利申请号/专利号为:202010081701.8,技术领域涉及:H03F1/30;该发明授权放大接口以及用于校正放大接口的对应测量系统和方法是由C·M·伊波利托;M·韦亚纳;A·雷克希亚设计研发完成,并于2020-02-06向国家知识产权局提交的专利申请。

放大接口以及用于校正放大接口的对应测量系统和方法在说明书摘要公布了:本公开的实施例涉及放大接口以及用于校正放大接口的对应测量系统和方法。一种放大接口包括:连接到第一节点的第一FET的漏极、连接到第二节点的第二FET的漏极、以及连接到第三节点的第一FET和第二FET的源极。第一偏置电流发生器和第二偏置电流发生器连接到第一节点和第二节点。第三FET连接在第三节点和参考电压之间。调节电路驱动第三FET的栅极,以将第一节点处的电压和第二节点处的电压的共模调节到期望值。电流发生器向第一节点和或第二节点施加校正电流。差分电流积分器具有连接到第二节点和第一节点的第一输入和第二输入。积分器供应电压,该电压表示在第二输入和第一输入处所接收的电流之差的积分。

本发明授权放大接口以及用于校正放大接口的对应测量系统和方法在权利要求书中公布了:1.一种放大接口,包括:第一场效应晶体管FET,具有连接到第一节点的漏极端子以及连接到第三节点的源极端子;第二FET,具有连接到第二节点的漏极端子以及连接到所述第三节点的源极端子;第一偏置电流发生器,被配置为向所述第一节点施加第一偏置电流;第二偏置电流发生器,被配置为向所述第二节点施加第二偏置电流;第三FET,具有连接到所述第三节点的漏极端子以及连接到参考电压的源极端子;调节电路,被配置为驱动所述第三FET的栅极端子,以便将所述第一节点处的共模电压和所述第二节点处的共模电压调节到给定值;至少一个电流发生器,被配置为向所述第一节点和所述第二节点中的一个节点施加校正电流;以及差分电流积分器,包括连接到所述第二节点的第一输入端子和连接到所述第一节点的第二输入端子,其中所述差分电流积分器被配置为经由两个输出端子提供输出电压,所述输出电压指示第一输出电流与第二输出电流之差的积分,所述第一输出电流从所述第二节点在所述差分电流积分器的所述第一输入端子处被接收,所述第二输出电流从所述第一节点在所述差分电流积分器的所述第二输入端子处被接收。

如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术,可联系本专利的申请人或专利权人意法半导体股份有限公司,其通讯地址为:意大利阿格拉布里安扎;或者联系龙图腾网官方客服,联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。

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