恭喜台湾积体电路制造股份有限公司林政贤获国家专利权
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龙图腾网恭喜台湾积体电路制造股份有限公司申请的专利图像传感器及其形成方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN112018134B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-06-03发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：201911271896.6，技术领域涉及：H10F39/12；该发明授权图像传感器及其形成方法是由林政贤;蔡纾婷;许慈轩设计研发完成，并于2019-12-12向国家知识产权局提交的专利申请。
本图像传感器及其形成方法在说明书摘要公布了：本公开的各种实施例涉及图像传感器。图像传感器包含安置在半导体衬底中的光电检测器。层间介电结构安置在半导体衬底的第一侧上。存储节点安置在半导体衬底中且与光电检测器间隔开，其中存储节点与第一侧间隔开第一距离。第一隔离结构安置在半导体衬底中且位于光电检测器与存储节点之间，其中第一隔离结构从半导体衬底的与第一侧相对的第二侧延伸到半导体衬底中，且其中第一隔离结构与第一侧间隔开小于第一距离的第二距离。
本发明授权图像传感器及其形成方法在权利要求书中公布了：1.一种图像传感器，包括：光电检测器，安置在半导体衬底中；层间介电结构，安置在所述半导体衬底的第一侧上；存储节点，安置在所述半导体衬底中且与所述光电检测器间隔开，其中所述存储节点与所述第一侧间隔开第一距离；第一隔离结构，安置在所述半导体衬底中且位于所述光电检测器与所述存储节点之间，其中所述第一隔离结构从所述半导体衬底的与所述第一侧相对的第二侧延伸到所述半导体衬底中，且其中所述第一隔离结构与所述第一侧间隔开小于所述第一距离的第二距离；以及掺杂隔离区域，安置在所述半导体衬底中且在所述第一隔离结构的一侧延伸于所述存储节点与所述第一侧之间，其中所述掺杂隔离区域与所述第一侧间隔开，且其中所述掺杂隔离区域具有与所述存储节点相反的掺杂类型。
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1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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