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龙图腾网恭喜康宁股份有限公司申请的专利在玻璃基材上形成薄膜晶体管的方法以及由此形成的液晶显示器获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN111937150B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-06-03发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：201980023272.4，技术领域涉及：H10D86/60；该发明授权在玻璃基材上形成薄膜晶体管的方法以及由此形成的液晶显示器是由M-H·黄;R·B·李;R·瓦迪;朱斌设计研发完成，并于2019-03-26向国家知识产权局提交的专利申请。

本在玻璃基材上形成薄膜晶体管的方法以及由此形成的液晶显示器在说明书摘要公布了：薄膜晶体管TFT液晶显示器LCD包括在上方的液晶显示层与下方的玻璃基材之间划界的多个图像像素。每个图像像素包括设置在玻璃基材上方的专用顶栅TFT。每个顶栅薄膜晶体管包括设置在玻璃基材上方的工艺敏感性半导体层，以及设置在工艺敏感性半导体层上方的源电极和漏电极。工艺敏感性半导体层在源电极与漏电极之间形成工艺敏感性半导体有源层，并且在工艺敏感性半导体有源层的上方设置有源层保护膜。在源电极与漏电极之间的有源层保护膜上方设置有栅极电介质层，并且在栅极电介质层的上方设置有栅电极。

本发明授权在玻璃基材上形成薄膜晶体管的方法以及由此形成的液晶显示器在权利要求书中公布了：1.一种制造多个顶栅薄膜晶体管的方法，所述方法包括：使用高温化学气相沉积CVD，在玻璃基材上形成工艺敏感性半导体层，其中，工艺敏感性半导体层由过渡金属二硫属化物（TMD）半导体材料和有机半导体材料中的至少一种形成；在工艺敏感性半导体层的上表面上形成第一金属层；图案化第一金属层和工艺敏感性半导体层，并且在工艺敏感性半导体层上形成电极对单元的阵列，其中，每个电极对单元包括源电极以及与源电极间隔开的漏电极，并且工艺敏感性半导体有源层在源电极与漏电极之间延伸；在电极对单元的阵列上形成保护膜；图案化工艺敏感性半导体层和保护膜，以及在玻璃基材上形成有源层电极对单元的阵列，其中，有源层电极对单元各自包括在源电极与漏电极之间延伸的工艺敏感性半导体有源层上的有源层保护膜，并且在图案化工艺敏感性半导体层期间，有源层保护膜保护在源电极与漏电极之间延伸的工艺敏感性半导体有源层，其中，所述有源层保护膜由耐氧等离子体材料形成；在有源层电极对单元的阵列上形成电介质层，其中，电介质层在每个有源层电极对单元的源电极与漏电极之间延伸的有源层保护膜上方形成栅极电介质层；图案化电介质层并且从每个有源层电极对单元的源电极和漏电极中移除电介质层；在有源层电极对单元的阵列上形成第二金属层；以及图案化第二金属层并且对于每一个有源层电极对单元，形成源电极上的接触垫，漏电极上的接触垫和栅极电介质层上的顶栅电极，其中，利用氧等离子体图案化对工艺敏感性半导体层进行图案化，有源层保护膜包括氧化物，并且在对工艺敏感性半导体层进行图案化期间，有源层保护膜保护每个有源层电极对单元的工艺敏感性半导体有源层不受氧等离子体损坏。

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