恭喜苏州博志金钻科技有限责任公司靳世旭获国家专利权
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龙图腾网恭喜苏州博志金钻科技有限责任公司申请的专利一种垂直互连的封装基板、制备方法和电镀填铜方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119965187B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-06-06发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202510456871.2，技术领域涉及：H01L23/498；该发明授权一种垂直互连的封装基板、制备方法和电镀填铜方法是由靳世旭;潘远志;刘鑫设计研发完成，并于2025-04-12向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种垂直互连的封装基板、制备方法和电镀填铜方法在说明书摘要公布了：本发明提出一种垂直互连的封装基板、制备方法和电镀填铜方法。该制备方法包括在基板上形成通孔，在所述通孔的内壁通过原子层沉积形成金属氧化物膜层；对通孔内的金属氧化物膜层表面和基板表面通过磁控溅射沉积钛铜种子层；在所述通孔内的种子层的表面通过磁控溅射沉积还原性金属膜层，所述还原性金属膜层的还原性强于金属铜（Cu）；在所述基板的表面的种子层上通过磁控溅射沉积氧化性膜层，所述氧化性膜层的金属离子还原电位高于铜离子（Cu2+），实现深孔均匀无孔洞填铜。该方法有效提升了孔内镀层的致密性与附着力，适用于基板的高精度图形化封装制造，可广泛应用于高频射频器件、功率模块及三维集成封装等领域。
本发明授权一种垂直互连的封装基板、制备方法和电镀填铜方法在权利要求书中公布了：1.一种垂直互连的封装基板，其特征在于，包括：基板，其上形成有至少一个通孔；所述通孔的内壁沉积有金属氧化物膜层，所述通孔内壁沉积的所述金属氧化物膜层表面和所述基板的表面均沉积有钛铜种子层，且所述通孔内壁的所述钛铜种子层表面上沉积还原性金属膜层，所述还原性金属膜层的还原性强于金属铜（Cu）；在所述基板的表面的所述钛铜种子层上沉积有氧化性膜层，所述氧化性膜层的金属离子还原电位高于铜离子（Cu2+）。
如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人苏州博志金钻科技有限责任公司，其通讯地址为：215000 江苏省苏州市高新区长亭路8号大新科技园3幢二楼；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。
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2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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