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龙图腾网恭喜上海积塔半导体有限公司申请的专利具有双深沟槽隔离的半导体结构及其制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119920688B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-06-06发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202510423224.1，技术领域涉及：H01L21/265；该发明授权具有双深沟槽隔离的半导体结构及其制备方法是由胡林辉;廖黎明;仇峰;张强设计研发完成，并于2025-04-07向国家知识产权局提交的专利申请。

本具有双深沟槽隔离的半导体结构及其制备方法在说明书摘要公布了：本发明涉及半导体领域，本发明提供一种具有双深沟槽隔离的半导体结构及其制备方法。方法包括如下步骤：提供一第一型衬底，进行离子注入形成第一型深埋层；在第一型衬底表面形成第二型深埋层以及第一型光板轻掺杂区，且第一型光板轻掺杂区位于第一型深埋层上方，第二型深埋层位于第一型光板轻掺杂区两侧；在第一型衬底表面生长第一外延层；在第一外延层内形成第一型、第二型深注入区，且第一型深注入区位于第一型光板轻掺杂区上方，第二型深注入区位于第二型深埋层上方；在第一外延层表面生长第二外延层；形成两深沟槽隔离，自第二外延层表面延伸至第一型衬底内。上述技术方案通过较低成本的方式解决基区对载流子的复合能力弱的问题。

本发明授权具有双深沟槽隔离的半导体结构及其制备方法在权利要求书中公布了：1.一种具有双深沟槽隔离的半导体结构的制备方法，其特征在于，包括如下步骤：提供一第一型衬底，并在所述第一型衬底内进行离子注入形成第一型深埋层；在所述第一型衬底表面分别进行离子注入形成第二型深埋层以及第一型光板轻掺杂区，且所述第一型光板轻掺杂区位于所述第一型深埋层上方，所述第二型深埋层位于所述第一型光板轻掺杂区两侧；在所述第一型衬底表面生长第一外延层；在所述第一外延层内进行离子注入形成第一型深注入区及第二型深注入区，且所述第一型深注入区位于所述第一型光板轻掺杂区上方，所述第二型深注入区位于所述第二型深埋层上方；在所述第一外延层表面生长第二外延层；形成两深沟槽隔离，分别位于所述第一型光板轻掺杂区两侧，且自所述第二外延层表面延伸至所述第一型衬底内。

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