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龙图腾网获悉河北大学申请的专利一种叠层太阳能电池及其制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119031738B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-06-06发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202411498148.2，技术领域涉及：H10K39/15；该发明授权一种叠层太阳能电池及其制备方法是由杨学良;马波波;陈兵兵;张旭宁;陈剑辉设计研发完成，并于2024-10-25向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种叠层太阳能电池及其制备方法在说明书摘要公布了：本申请公开了一种叠层太阳能电池及其制备方法，涉及太阳能电池技术领域，包括：硅异质结太阳能电池；位于硅异质结太阳能电池入光侧的钙钛矿太阳能电池；硅异质结太阳能电池包括：晶体硅基底，晶体硅基底具有相对的第一表面和第二表面，第一表面朝向钙钛矿太阳能电池；位于第一表面上的第一有机钝化层；位于第二表面上的第二有机钝化层；位于第一有机钝化层表面上的空穴选择接触层，空穴选择接触层与第一有机钝化层以及晶体硅基底的第一表面形成第一异质结；位于第二有机钝化层表面上的电子选择接触层，电子选择接触层与第二有机钝化层以及晶体硅基底的第二表面形成第二异质结。本申请技术方案可以降低寄生吸收，降低钝化工艺难度以及制备成本。

本发明授权一种叠层太阳能电池及其制备方法在权利要求书中公布了：1.一种叠层太阳能电池，其特征在于，包括：硅异质结太阳能电池；位于所述硅异质结太阳能电池入光侧的钙钛矿太阳能电池；所述钙钛矿太阳能电池能够吸收300nm～700nm的光线进行光伏发电；所述硅异质结太阳能电池能够吸收700nm～1200nm的光线进行发电；所述硅异质结太阳能电池与所述钙钛矿太阳能电池之间通过透光的复合连接层连接固定，且所述复合连接层中均匀混合有紫外滤光材料；其中，所述硅异质结太阳能电池包括：晶体硅基底，所述晶体硅基底具有相对的第一表面和第二表面，所述第一表面朝向所述钙钛矿太阳能电池；位于所述第一表面上的第一有机钝化层；位于所述第二表面上的第二有机钝化层；所述第一有机钝化层的厚度与所述第二有机钝化层的厚度范围均为2nm～10nm；所述第一有机钝化层的厚度小于所述第二有机钝化层的厚度，使得两有机钝化层的厚度与所述硅异质结太阳能电池的入光侧距离分别适配；所述第一有机钝化层与所述第二有机钝化层的厚度比值小于1，且不小于13；位于所述第一有机钝化层表面上的空穴选择接触层，所述空穴选择接触层与所述第一有机钝化层以及所述晶体硅基底的第一表面形成第一异质结；位于所述第二有机钝化层表面上的电子选择接触层，所述电子选择接触层与所述第二有机钝化层以及所述晶体硅基底的第二表面形成第二异质结，所述第一异质结与所述第二异质结为非对称结构；其中，所述第一有机钝化层以及所述空穴选择接触层均为旋涂膜层，和或，所述第二有机钝化层以及所述电子选择接触层均为旋涂膜层；所述第一有机钝化层的折射率大于所述空穴选择接触层的折射率，和或，所述第一有机钝化层的折射率和所述空穴选择接触层的折射率均小于所述晶体硅基底的折射率；所述第二有机钝化层的折射率大于所述电子选择接触层的折射率，和或，所述晶体硅基底的折射率大于所述第二有机钝化层和电子选择接触层的折射率。

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