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龙图腾网获悉西安电子科技大学申请的专利一种结合HK集电极栅的SJ-LIGBT器件结构获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119050128B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-06-06发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202411175544.1，技术领域涉及：H10D62/10；该发明授权一种结合HK集电极栅的SJ-LIGBT器件结构是由袁嵩;崔志昌;李彦佐;严兆恒;江希;弓小武设计研发完成，并于2024-08-26向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种结合HK集电极栅的SJ-LIGBT器件结构在说明书摘要公布了：本发明提供一种结合HK集电极栅的SJ‑LIGBT器件结构，涉及半导体技术领域。包括：P型衬底区、发射极结构、栅极结构、漂移区结构和集电极结构，集电极结构包括第一集电极、第一N‑bufferlayer区、第二N‑bufferlayer区、第三N‑bufferlayer区和HK介质区。设置多层N‑buffer结构即第一N‑bufferlayer区、第二N‑bufferlayer区和第三N‑bufferlayer区，辅助P型衬底区耗尽，HK集电极栅优化纵向电场，提高SJ‑LIGBT器件击穿电压；多层N‑buffer结构结合HK介质区，在SJ‑LIGBT器件关闭时，加快关断速度，降低关断损耗。

本发明授权一种结合HK集电极栅的SJ-LIGBT器件结构在权利要求书中公布了：1.一种结合HK集电极栅的SJ-LIGBT器件结构，其特征在于，所述结合HK集电极栅的SJ-LIGBT器件结构，包括P型衬底区、发射极结构、栅极结构、漂移区结构和集电极结构；所述发射极结构，形成于所述P型衬底区的上表面的一侧；所述栅极结构，形成于所述发射极结构的上表面的另一侧，且部分栅极结构被所述发射极结构包裹；所述漂移区结构，形成于所述P型衬底区的上表面的中间区域，且所述漂移区结构与所述发射极结构相邻；所述集电极结构，形成于所述P型衬底区的上表面的另一侧，并从所述P型衬底区的上表面延伸至所述P型衬底区内，且所述集电极结构包裹部分漂移区结构；所述集电极结构包括第一集电极、第一N-缓冲层区、第二N-缓冲层区、第三N-缓冲层区和高介电常数介质区；所述第一N-缓冲层区形成于所述P型衬底区内的另一侧，与所述漂移区结构相邻，且所述第一N-缓冲层区的上表面与所述P型衬底区的上表面位于同一平面，所述第二N-缓冲层区形成于所述第一N-缓冲层区的下表面，所述第三N-缓冲层区形成于所述第二N-缓冲层区的下表面，所述第一集电极形成于所述第一N-缓冲层区的上表面，且与所述漂移区结构相邻，所述高介电常数介质区从所述第一集电极的上表面延伸贯穿所述第一集电极、所述第一N-缓冲层区、所述第二N-缓冲层区和所述第三N-缓冲层区，且所述高介电常数介质区的底部位于所述述P型衬底区内。

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