南京国盛电子有限公司;南京盛鑫半导体材料有限公司何文俊获国家专利权
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龙图腾网获悉南京国盛电子有限公司;南京盛鑫半导体材料有限公司申请的专利一种提升硅外延过程稳定性的石英圆盘获国家实用新型专利权，本实用新型专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN222948515U 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-06-06发布的实用新型授权公告中获悉：该实用新型的专利申请号/专利号为：202422029655.3，技术领域涉及：C30B25/12；该实用新型一种提升硅外延过程稳定性的石英圆盘是由何文俊;陈浩;黄韬;邢亮;冯永平设计研发完成，并于2024-08-21向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种提升硅外延过程稳定性的石英圆盘在说明书摘要公布了：本实用新型公开了一种提升硅外延过程稳定性的石英圆盘，包括圆盘底面和围绕圆盘底面外沿的一圈侧壁，所述圆盘底面的中心设有通孔，所述侧壁与圆盘底面通过圆角连接，所述侧壁的内壁垂直于圆盘底面，侧壁上段设有一圈遮挡段，所述遮挡段的外壁向圆盘底面的外侧倾斜，遮挡段厚度自下而上逐渐增加。本实用新型通过设置遮挡段，避免在石英圆盘出现析晶现象时脱落的石英渣在气流直吹的情况下向上飘的问题，进而减少因石英渣问题导致的产品异常；同时通过扩大石英圆盘直径使得石墨底座装配空间更大，还降低了侧壁高度，可以避免在装配调试过程中因不同心问题和基座平整度较差问题导致的石墨基座和石英圆盘产生摩擦现象。
本实用新型一种提升硅外延过程稳定性的石英圆盘在权利要求书中公布了：1.一种提升硅外延过程稳定性的石英圆盘，包括圆盘底面和围绕圆盘底面外沿的一圈侧壁，所述圆盘底面的中心设有通孔，所述侧壁与圆盘底面通过圆角连接，其特征在于，所述侧壁的内壁垂直于圆盘底面，侧壁上段设有一圈遮挡段，所述遮挡段的外壁向圆盘底面的外侧倾斜，遮挡段厚度自下而上逐渐增加。
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