TCL华星光电技术有限公司巴静获国家专利权
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龙图腾网获悉TCL华星光电技术有限公司申请的专利半导体器件和电子器件获国家实用新型专利权，本实用新型专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN222954308U 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-06-06发布的实用新型授权公告中获悉：该实用新型的专利申请号/专利号为：202422000419.9，技术领域涉及：H10D86/60；该实用新型半导体器件和电子器件是由巴静设计研发完成，并于2024-08-16向国家知识产权局提交的专利申请。
本半导体器件和电子器件在说明书摘要公布了：本实用新型提供一种半导体器件和电子器件；该半导体器件通过使第一电极包括至少一个环状的第一子电极，第二电极包括至少一个环状的第二子电极和第一连接线，使第一子电极环绕第二子电极设置，则可以增加第一子电极与第二子电极的正对部分的宽度，从而增加半导体器件的沟道宽度，增加半导体器件的宽长比，提高开态电流，且无需增加第一电极和第二电极的占用空间，从而实现了兼顾薄膜晶体管的高开态电流和高开口率的效果，且第一子电极设有第一开口，第一连接线穿过第一开口与第二子电极连接，使得第二子电极可以通过第一连接线与掺杂部、其他电极和走线连接，使半导体器件正常工作。
本实用新型半导体器件和电子器件在权利要求书中公布了：1.一种半导体器件，其特征在于，包括：衬底；源漏极层，设置于所述衬底一侧，所述源漏极层包括第一电极和第二电极，所述第一电极包括至少一个环状的第一子电极，所述第二电极包括至少一个环状的第二子电极和第一连接线；其中，所述第一子电极环绕所述第二子电极设置，所述第一子电极设有第一开口，所述第一连接线穿过所述第一开口与所述第二子电极连接。
如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人TCL华星光电技术有限公司，其通讯地址为：518132 广东省深圳市光明新区塘明大道9-2号；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。
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