东莞市志橙半导体材料有限公司李家浩获国家专利权
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龙图腾网获悉东莞市志橙半导体材料有限公司申请的专利一种反应腔以及化学气相沉积设备获国家实用新型专利权，本实用新型专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN222948471U 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-06-06发布的实用新型授权公告中获悉：该实用新型的专利申请号/专利号为：202421981279.1，技术领域涉及：C23C16/458；该实用新型一种反应腔以及化学气相沉积设备是由李家浩设计研发完成，并于2024-08-15向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种反应腔以及化学气相沉积设备在说明书摘要公布了：本实用新型涉及一种反应腔，包括：腔室以及设置于所述腔室内的支架组件，所述支架组件用于支撑基体且能受驱绕第一轴向转动，所述支架组件包括分别设置于基体两侧的第一支架和第二支架，所述第一支架和所述第二支架绕第一轴向均设有匹配基体的弧形凹槽；当所述第一支架位于基体下方以支撑基体时，所述第二支架位于基体上方且不与基体接触，当所述第二支架位于基体下方以支撑基体时，所述第一支架位于基体上方且不与基体接触。本实用新型公开的反应腔避免了基体与支架组件接触部分的沉积盲区，只需进行一次开炉沉积即可完成对整个基体表面的沉积覆盖，而不需要进行二次开炉沉积，很大程度上提高了沉积效率，降低生产消耗。
本实用新型一种反应腔以及化学气相沉积设备在权利要求书中公布了：1.一种反应腔，其特征在于，包括：腔室（10）以及设置于所述腔室（10）内的支架组件（20），所述支架组件（20）用于支撑基体且能受驱绕第一轴向转动，所述支架组件（20）包括分别设置于基体两侧的第一支架（21）和第二支架（22），所述第一支架（21）和所述第二支架（22）绕第一轴向均设有匹配基体的弧形凹槽；当所述第一支架（21）位于基体下方以支撑基体时，所述第二支架（22）位于基体上方且不与基体接触，当所述第二支架（22）位于基体下方以支撑基体时，所述第一支架（21）位于基体上方且不与基体接触。
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