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成都吉莱芯科技有限公司;江苏吉莱微电子股份有限公司陈城获国家专利权

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龙图腾网获悉成都吉莱芯科技有限公司;江苏吉莱微电子股份有限公司申请的专利一种横向具有低击穿高维持的保护器件获国家实用新型专利权,本实用新型专利权由国家知识产权局授予,授权公告号为:CN222953098U

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-06-06发布的实用新型授权公告中获悉:该实用新型的专利申请号/专利号为:202421976500.4,技术领域涉及:H01L23/60;该实用新型一种横向具有低击穿高维持的保护器件是由陈城;张鹏;杨珏林;宋文龙;张春生;刘湘;许志峰设计研发完成,并于2024-08-15向国家知识产权局提交的专利申请。

一种横向具有低击穿高维持的保护器件在说明书摘要公布了:本实用新型公开了一种横向具有低击穿高维持的保护器件,N‑衬底设于最底部,P+掺杂区和P‑阱区设于N‑衬底的上方,正面金属阳极位于P+掺杂区上方,正面金属阴极位于P‑阱区上方,N‑衬底顶部与P‑阱区的接触位置设有N掺杂区,P‑阱区顶部与N‑衬底的接触位置设有第一P掺杂区,P‑阱区内部下方设有第二P掺杂区。本实用新型通过新设计的结构,可用于5或7V电压系列的单向ESD保护器件中;调节N掺杂区和P掺杂区的掺杂浓度可以对击穿电压进行调整,从而有效降低其击穿电压并不影响寄生电容;利用P‑阱区的第二P掺杂区调整电荷浓度,从而提高维持电压的同时不改变其电容大小,并不影响被保护电路的传输速率。

本实用新型一种横向具有低击穿高维持的保护器件在权利要求书中公布了:1.一种横向具有低击穿高维持的保护器件,所述保护器件正面设有凹型接触孔金属和凸型接触孔金属,所述凹型接触孔金属和所述凸型接触孔金属之间留有过道,所述凹型接触孔金属为正面金属阴极(110),所述凸型接触孔金属为正面金属阳极(109),其特征在于:还包括N-衬底(101)、P-阱区(102)、P+掺杂区(103)、第一P掺杂区(105)、N掺杂区(106)和第二P掺杂区(107),所述N-衬底(101)设于最底部,所述P+掺杂区(103)和所述P-阱区(102)设于所述N-衬底(101)的上方,所述正面金属阳极(109)位于所述P+掺杂区(103)上方,所述正面金属阴极(110)位于所述P-阱区(102)上方,所述N-衬底(101)顶部与所述P-阱区(102)的接触位置设有所述N掺杂区(106),所述P-阱区(102)顶部与所述N-衬底(101)的接触位置设有所述第一P掺杂区(105),所述第一P掺杂区(105)和所述N掺杂区(106)直接接触,所述P-阱区(102)内部下方设有第二P掺杂区(107)。

如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术,可联系本专利的申请人或专利权人成都吉莱芯科技有限公司;江苏吉莱微电子股份有限公司,其通讯地址为:610000 四川省成都市高新区世纪城南路599号6栋5层505号;或者联系龙图腾网官方客服,联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。

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