安建科技有限公司梁嘉进获国家专利权
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龙图腾网获悉安建科技有限公司申请的专利一种用于大功率封装的芯片结构获国家实用新型专利权，本实用新型专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN222954306U 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-06-06发布的实用新型授权公告中获悉：该实用新型的专利申请号/专利号为：202421919579.7，技术领域涉及：H10D30/66；该实用新型一种用于大功率封装的芯片结构是由梁嘉进;陈晓良;伍震威;单建安设计研发完成，并于2024-08-09向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种用于大功率封装的芯片结构在说明书摘要公布了：一种用于大功率封装的芯片结构及其制备方法，本实用新型涉及功率半导体器件领域，提出一种应用于大功率应用的氮化镓功率器件结构，该器结构具有厚金属基底以及厚金属的顶部可焊层金属层，因此具有良好的散热性能和更优的器件可靠性；本实用新型还提出一种氮化镓功率器件的外围结构，能防止芯片切割时候产生的崩裂，提高器件的可靠性。
本实用新型一种用于大功率封装的芯片结构在权利要求书中公布了：1.一种用于大功率封装的芯片结构，所述的芯片结构包括有设于半导体器件区域上方的顶部金属层和设于顶部金属层上方的顶部可焊金属层，其特征在于，所述的半导体器件区域下方设有阻挡金属层和设于阻挡金属层下方的厚度为5um-160um的可焊厚金属基底层；所述的阻挡金属层用于增强厚金属基底层的结合力和防止杂质向半导体器件区域的渗透，所述的可焊厚金属基底层用于提供可焊性金属界面、提高散热性和阻挡来自器件下方放射性粒子。
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