富满微电子集团股份有限公司卢山获国家专利权
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龙图腾网获悉富满微电子集团股份有限公司申请的专利一种半桥驱动电路及芯片获国家实用新型专利权，本实用新型专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN222953918U 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-06-06发布的实用新型授权公告中获悉：该实用新型的专利申请号/专利号为：202421785042.6，技术领域涉及：H02M1/088；该实用新型一种半桥驱动电路及芯片是由卢山;黄敬成设计研发完成，并于2024-07-26向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种半桥驱动电路及芯片在说明书摘要公布了：本实用新型实施例提供了一种半桥驱动电路及芯片，包括电平转换模块、阱二极管和第一抵抗模块。电平转换模块将高侧控制信号接收端接收到的信号转化为控制高侧功率管通断的信号；高压阱与参考地端形成的阱二极管，反向连接在高压电源端与参考地端之间；第一抵抗模块连接在高压电源端所处阱区与供电电源端之间，电平转换模块与阱二极管的击穿电压小于第一抵抗模块的击穿电压。通过本实用新型的实施，第一抵抗模块可以优先建立高压电源端所处阱区至供电电源端的电流通道，使得高压阱抗电力冲击能力大大提高，进而也提高了高侧与低侧之间的抵抗静电能力，使高压阱内的内部电路不易损坏，降低了对工艺制程的耐压要求。
本实用新型一种半桥驱动电路及芯片在权利要求书中公布了：1.一种半桥驱动电路，其特征在于，包括：电平转换模块，连接在高压电源端与参考地端之间，所述电平转换模块的输入端与高侧控制信号接收端连接，所述电平转换模块的输出端用于与高侧功率管的控制端连接，所述电平转换模块被配置为将所述高侧控制信号接收端接收到的信号转化为控制所述高侧功率管通断的信号；高压阱与所述参考地端形成的阱二极管，反向连接在所述高压电源端与所述参考地端之间；第一抵抗模块，连接在所述高压电源端所处阱区与供电电源端之间，所述电平转换模块与所述阱二极管的击穿电压小于所述第一抵抗模块的击穿电压。
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