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龙图腾网获悉吉林大学申请的专利一种石墨烯上氮极性GaN基长波长LED芯片及其制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN118919618B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-06-06发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202410978155.6，技术领域涉及：H10H20/81；该发明授权一种石墨烯上氮极性GaN基长波长LED芯片及其制备方法是由邓高强;张源涛;于佳琪;赵敬凯;王昱森设计研发完成，并于2024-07-22向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种石墨烯上氮极性GaN基长波长LED芯片及其制备方法在说明书摘要公布了：一种石墨上氮极性GaN基长波长LED芯片及其制备方法，属于半导体发光器件领域。其依次由衬底层、石墨烯层、氮极性GaN模板层、氮极性n‑GaN电子提供层、氮极性InGaN基量子阱有源区、氮极性p‑Alx1Ga1‑x1N电子阻挡层、氮极性p‑GaN空穴注入层、p型电极层和n型电极层构成。石墨烯与外延薄膜间的相互作用力弱，量子阱有源区受到的应力会降低，同时外延片的翘曲度会降低，能够提升量子阱层中铟的并入效率、缓解相分离并提高发光均匀性。此外，采用氮极性InGaN量子阱结构能够进一步提高铟的并入效率。因此，在石墨烯上基于氮极性材料能够在更高温度下实现量子阱的外延生长，从而提高量子阱的晶体质量。

本发明授权一种石墨烯上氮极性GaN基长波长LED芯片及其制备方法在权利要求书中公布了：1.一种石墨烯上氮极性GaN基长波长LED芯片，其特征在于：从下至上依次由衬底（1）、石墨烯层（2）、氮极性GaN模板层（3）、氮极性n-GaN电子提供层（4）、氮极性InGaN基多量子阱有源区（5）、氮极性p-Alx1Ga1-x1N电子阻挡层（6）、氮极性p-GaN空穴注入层（7）组成，氮极性n-GaN电子提供层（4）和氮极性InGaN基多量子阱有源区（5）间形成裸露的氮极性n-GaN电子提供层（4）台面，在氮极性n-GaN电子提供层（4）台面和氮极性p-GaN空穴注入层（7）上分别制备有n型电极层（9）和p型电极层（8）；氮极性InGaN量子阱有源层区（5）由垒层Iny0Ga1-y0N和阱层Inx0Ga1-x0N交替生长组成，生长对数在2~5对之间，其中0.1≤x1≤0.4，0.25＜x0≤1，0≤y0＜x0；其中，石墨烯层（2）提升了外延氮极性InGaN量子阱中的In组分，从而获得高效的氮极性高In组分InGaN长波长LED芯片。

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