上海积塔半导体有限公司徐乃康获国家专利权
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龙图腾网获悉上海积塔半导体有限公司申请的专利用于沉积工艺的腔体结构获国家实用新型专利权，本实用新型专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN222948445U 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-06-06发布的实用新型授权公告中获悉：该实用新型的专利申请号/专利号为：202421702934.5，技术领域涉及：C23C14/22；该实用新型用于沉积工艺的腔体结构是由徐乃康;厉清;王伟华;钱同设计研发完成，并于2024-07-17向国家知识产权局提交的专利申请。
本用于沉积工艺的腔体结构在说明书摘要公布了：本实用新型提供了一种用于沉积工艺的腔体结构，通过在所述腔体结构中设置有用于承载晶圆的基座和用于固定晶圆的晶圆固定环，在所述基座面向所述晶圆的表面的至少部分区域覆盖第一磁性材料层，在所述晶圆固定环的内壁上具有多个接触点，所述接触点用于压接所述晶圆的边缘以将所述晶圆固定于所述基座，所述接触点面向所述晶圆的表面覆盖第二磁性材料层，所述第一磁性材料层与所述第二磁性材料层所形成的磁极相同，利用磁性同性相斥原理，使得所述晶圆固定环与所述基座之间存在一定的排斥力，进而在沉积工艺中对晶圆起缓冲作用，避免对晶圆边缘的产生大的冲击力，减少晶圆边缘剥落现象的发生。
本实用新型用于沉积工艺的腔体结构在权利要求书中公布了：1.一种用于沉积工艺的腔体结构，其特征在于，包括：基座，所述基座用于承载晶圆，所述基座面向所述晶圆的表面的至少部分区域覆盖第一磁性材料层；晶圆固定环，所述晶圆固定环的内壁上具有多个接触点，所述接触点用于压接所述晶圆的边缘以将所述晶圆固定于所述基座，所述接触点面向所述晶圆的表面覆盖第二磁性材料层；所述第一磁性材料层与所述第二磁性材料层所形成的磁极相同。
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