森一量子科技(厦门)有限公司雷云获国家专利权
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龙图腾网获悉森一量子科技(厦门)有限公司申请的专利一种消除二氧化碲单晶生长中小角度晶界缺陷产生的方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN118910731B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-06-06发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202410943738.5，技术领域涉及：C30B29/16；该发明授权一种消除二氧化碲单晶生长中小角度晶界缺陷产生的方法是由雷云;高浩然;李来超;张榕贵;陈腾波;叶纪龙设计研发完成，并于2024-07-15向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种消除二氧化碲单晶生长中小角度晶界缺陷产生的方法在说明书摘要公布了：本发明公开了一种消除二氧化碲单晶生长中小角度晶界缺陷产生的方法，包括籽晶的加工、籽晶换向处理、坩埚下降法生长二氧化碲单晶。其中籽晶的换向处理操作，是指用1‑10晶面作为长晶面，而不是传统的110晶面。本发明采用籽晶换向处理生长单晶，取代多次迭代消除缺陷的方式，提升晶棒的整体利用率以及籽晶品质，从而进一步提升TeO2单晶成品率，降低品质波动。
本发明授权一种消除二氧化碲单晶生长中小角度晶界缺陷产生的方法在权利要求书中公布了：1.一种消除二氧化碲单晶生长中小角度晶界缺陷产生的方法，其特征在于，包括以下步骤：A.籽晶的加工：将晶棒切割成晶块，控制晶块的晶向偏差在0.5°以内，经过粗磨、细磨、抛光；同时，在粗磨、细磨、抛光的过程中控制切割液、研磨液和抛光液的温度，采用红外温度计，定期测量籽晶内部与外界的温差；抛光完成后得到所需的籽晶，采用激光器在暗室中进行内部质量筛选，采用记号笔在籽晶上标记出对应小角度晶界的分布位置和数量；其中所述籽晶内部小角度晶界的数量不超过3条，且横截面尺寸比坩埚截面的尺寸小0.5～1mm，四面倒角尺寸R2～R3，高度在30mm以上；B.籽晶进行换向处理操作，即将1-10面作为长晶面，内部小角度晶界垂直于[1-10]晶向或是平行于[110]晶向；C.将得到的籽晶按照长晶面朝上装入坩埚，二氧化碲原料置于所述籽晶上方，并对坩埚进行密封，随后放入晶体生长炉内，加热熔化所述二氧化碲原料及所述籽晶顶部，实现接种生长；D.按照坩埚下降法进行二氧化碲单晶的生长，控制固液界面的温度梯度以及所述坩埚的下降速率；生长阶段稳定后，采取系统温度补偿方式降低晶体生长过程中的加速度；原位退火处理得到所述二氧化碲单晶。
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