无锡市查奥微电子科技有限公司何海洋获国家专利权
买专利卖专利找龙图腾，真高效！ 查专利查商标用IPTOP,全免费！专利年费监控用IP管家,真方便！
龙图腾网获悉无锡市查奥微电子科技有限公司申请的专利一种碳化硅肖特基二极管器件获国家实用新型专利权，本实用新型专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN222954304U 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-06-06发布的实用新型授权公告中获悉：该实用新型的专利申请号/专利号为：202421644943.3，技术领域涉及：H10D8/60；该实用新型一种碳化硅肖特基二极管器件是由何海洋;陈蕾设计研发完成，并于2024-07-12向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种碳化硅肖特基二极管器件在说明书摘要公布了：本实用新型涉及半导体技术领域，尤其涉及一种碳化硅肖特基二极管器件。其技术方案包括：N型衬底上设有的SiC外延层，所述SiC外延层上开设有多个陷阱区，各个所述陷阱区外围均设有内保护环，多个所述陷阱区外围设有外保护环，所述内保护环被所述外保护环包围。通过内保护环和外保护环的设置，内保护环不与任何电极相连，其主要利用pn结在平衡态下形成的耗尽区，当场环形成的耗尽区与主结形成的耗尽区相连后，便拓宽了主结边缘位置的耗尽区宽度，从而降低了主结边缘电场，在一定程度上避免了主结的击穿，并且在外围设置单独通过耗尽区，该耗尽区通过浅槽腐蚀而成，且在该处再设置一圈外保护环，从而进一步提高了保护效果。
本实用新型一种碳化硅肖特基二极管器件在权利要求书中公布了：1.一种碳化硅肖特基二极管器件，包括N型衬底（1），所述N型衬底（1）上设有SiC外延层（3），其特征在于，所述SiC外延层（3）上开设有多个陷阱区（4），各个所述陷阱区（4）外围均设有内保护环（5），多个所述陷阱区（4）外围设有外保护环（6），所述内保护环（5）被所述外保护环（6）包围。
如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人无锡市查奥微电子科技有限公司，其通讯地址为：214000 江苏省无锡市经济开发区太湖街道震泽路688号太湖湾信息技术产业园1号楼1503；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。
以上内容由龙图腾AI智能生成。
免责声明
1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
开放平台
担保交易
惠及多方
会员特惠
专属平台
适合多方
数据共享
功能齐全
皖公网安备 34010402703815号
请提出您的宝贵建议，有机会获取IP积分或其他奖励