北京怀柔实验室高明超获国家专利权
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龙图腾网获悉北京怀柔实验室申请的专利功率半导体器件的终端结构、制造方法及功率半导体器件获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN118748201B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-06-06发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202410889910.3，技术领域涉及：H10D62/10；该发明授权功率半导体器件的终端结构、制造方法及功率半导体器件是由高明超;王耀华;魏晓光;李立;李宋伟;唐新灵;刘瑞;李玲;苑广安;纪瑞朗;吴沛飞设计研发完成，并于2024-07-04向国家知识产权局提交的专利申请。
本功率半导体器件的终端结构、制造方法及功率半导体器件在说明书摘要公布了：一种功率半导体器件的终端结构、制造方法及功率半导体器件，属于半导体器件技术领域。所述终端结构中的P基区为JTE结构；所述终端结构为负斜角结构。其中，JTE结构包括多个连续的JTE区，JTE区在表面位置处的掺杂浓度是连续的，在JTE区底部、JTE区与有源区的交界处和JTE区之间的交界处掺杂浓度是非连续的。本发明的终端结构采用JTE和磨角台面复合终端结构，利用JTE结构降低终端区P基区电荷，拓宽边缘耗尽层，降低表面电场强度；同时JTE对体内电场进行调制，降低电场集中，进一步降低表面电场强度，提高击穿电压，减少终端尺寸。
本发明授权功率半导体器件的终端结构、制造方法及功率半导体器件在权利要求书中公布了：1.一种功率半导体器件的终端结构，其特征在于，所述终端结构中的P基区为JTE结构；所述终端结构为负斜角结构，其中，JTE结构包括多个连续的JTE区，JTE区在表面位置处的掺杂浓度是连续的，在JTE区底部、JTE区与有源区的交界处和JTE区之间的交界处掺杂浓度是非连续的；其中，JTE区的结深与有源区的P基区或P阳极区的结深一致；或者JTE区的结深朝向终端结构的边缘方向依次降低；在同一水平面，不同JTE区内部掺杂浓度相同；或者在同一水平面，不同JTE区内部掺杂浓度不同，向终端边缘方向逐渐降低。
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