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龙图腾网获悉陕西源杰半导体科技股份有限公司申请的专利一种大功率抗反射半导体激光器获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN118801210B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-06-06发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202410862794.6，技术领域涉及：H01S5/12；该发明授权一种大功率抗反射半导体激光器是由剌晓波;潘彦廷;曹凡;侯慧慧设计研发完成，并于2024-06-28向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种大功率抗反射半导体激光器在说明书摘要公布了：本发明公开一种大功率抗反射半导体激光器，属于激光器设计技术领域，自下而上依次包括N面金属层、衬底层、缓冲层、下限制层、多量子阱层、上限制层、下间隔层、下光栅层、上间隔层、上光栅层、填充层、盖层、接触层、钝化层和P面金属层；沿激光器腔长方向，激光器分为第一选模区和第二选模区；第一选模区和第二选模区分别在下光栅层和上光栅层均制作分布式反馈光栅结构。该激光器可提升激光器的抗反射光能力，降低反射光对激光器工作状态的影响。

本发明授权一种大功率抗反射半导体激光器在权利要求书中公布了：1.一种大功率抗反射半导体激光器，其特征在于，自下而上依次包括N面金属层（01）、衬底层（02）、缓冲层（03）、下限制层（04）、多量子阱层（05）、上限制层（06）、下间隔层（07）、下光栅层（08）、上间隔层（09）、上光栅层（10）、填充层（11）、盖层（12）、接触层（13）、钝化层（14）和P面金属层（15）；沿激光器腔长方向，激光器分为第一选模区（100）和第二选模区（200）；第一选模区（100）和第二选模区（200）分别在下光栅层（08）和上光栅层（10）均制作分布式反馈光栅结构；下光栅层（08）为InGaAsP，上光栅层（10）为InGaAsP；所述下光栅层（08）上的分布式反馈光栅结构和上光栅层（10）上的分布式反馈光栅结构垂直投影方向不重叠；所述下光栅层（08）和上光栅层（10）的分布式反馈光栅结构掺杂浓度为4e17cm3~1e18cm3，材料发光波长为1.0μm~1.3μm；所述第一选模区（100）和第二选模区（200）的P面金属层（15）电极图案为一个整体，或者通过刻蚀盖层（12）和接触层（13）制作电隔离沟，并对P面金属层（15）进行图案分离实现隔离。

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