扬州中科半导体照明有限公司李志聪获国家专利权
买专利卖专利找龙图腾，真高效！ 查专利查商标用IPTOP,全免费！专利年费监控用IP管家,真方便！
龙图腾网获悉扬州中科半导体照明有限公司申请的专利能够调控出光面光束形貌的发光二极管的制作方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN118472138B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-06-06发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202410838497.8，技术领域涉及：H10H20/82；该发明授权能够调控出光面光束形貌的发光二极管的制作方法是由李志聪;王倩;王国宏设计研发完成，并于2024-06-26向国家知识产权局提交的专利申请。
本能够调控出光面光束形貌的发光二极管的制作方法在说明书摘要公布了：本发明提出一种能够调控发光二极管光束形貌的方法，包括如下步骤：在衬底上制作外延层；加工外延层制作欧姆接触，定义光束形貌，借助对应的对准标记，对衬底层对应的区域进行激光蚀刻，得到对应的图形化结构，从而得到具有符合预设光束形貌的芯片。本发明能够以简单的工艺获得出光面光束形貌可调的发光二极管芯片，制作成本低，且能够适用于不同衬底结构的发光二极管。
本发明授权能够调控出光面光束形貌的发光二极管的制作方法在权利要求书中公布了：1.能够调控出光面光束形貌的发光二极管的制作方法，其特征在于，包括如下步骤：制造外延片，所述外延片包括衬底层以及生长形成在所述衬底层第一面上的外延层；所述外延层远离所述衬底层的一面设置有对准标记；所述外延层包括发光区和围设在所述发光区外的非发光区；根据所述对准标记，确定所述衬底层的第二面的出光区域和非出光区域；所述衬底的第二面为与所述衬底层的第一面相对的面；根据衬底的类型以及预设的光束形貌，对所述衬底层的第二面的对应区域进行激光刻蚀，得到对应的刻蚀图案；当所述衬底层的类型为透明或者半透明衬底时，根据预设的光束形貌，对所述衬底层的第二面的非出光区域进行激光刻蚀，得到粗化结构，所述粗化结构用于阻挡光的出射；当所述衬底层为非透明的衬底时，根据预设的光束形貌，对所述衬底层的第二面的出光区域进行激光刻蚀，在所述衬底层上得到图形化的光斑结构；对所述光斑结构的内壁以及暴露于所述光斑结构内的所述外延层的表面进行平滑化处理，得到具有预设发光光束形貌的外延片。
如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人扬州中科半导体照明有限公司，其通讯地址为：225000 江苏省扬州市临江路186号1；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。
以上内容由龙图腾AI智能生成。
免责声明
1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
开放平台
担保交易
惠及多方
会员特惠
专属平台
适合多方
数据共享
功能齐全
皖公网安备 34010402703815号
请提出您的宝贵建议，有机会获取IP积分或其他奖励