拓荆创益(沈阳)半导体设备有限公司李欣获国家专利权
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龙图腾网获悉拓荆创益(沈阳)半导体设备有限公司申请的专利一种改善晶圆侧面成膜的装置获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN118621302B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-06-06发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202311641021.7，技术领域涉及：C23C16/458；该发明授权一种改善晶圆侧面成膜的装置是由李欣;高峰峡;戚艳丽;于海涛设计研发完成，并于2023-12-01向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种改善晶圆侧面成膜的装置在说明书摘要公布了：本申请提供一种改善晶圆侧面成膜的装置，涉及半导体设备技术领域，包括工艺腔，工艺腔内设置有加热盘，加热盘上用于设置晶圆，加热盘的上方还设置有喷淋上板，通过喷淋上板朝向晶圆的上方通入工艺气体以用于在晶圆的表面成膜，加热盘的侧面设置有阻隔结构，以用于阻隔工艺气体接触晶圆的侧面，避免在晶圆的侧面成膜。阻隔结构的作用是阻止工艺气体接触晶圆侧面，这样一来，可以避免由于工艺气体接触晶圆侧面而在晶圆侧面成膜的情况，降低了晶圆侧面成膜的概率，改善了现有技术由于在晶圆侧面成膜导致的晶圆本身的洁净度，以及长期工艺累积产生的工艺腔、后续传送通道的洁净度的问题，提高了晶圆整体工艺的稳定性，保证了晶圆的工艺质量。
本发明授权一种改善晶圆侧面成膜的装置在权利要求书中公布了：1.一种改善晶圆侧面成膜的装置，其特征在于，包括：工艺腔，所述工艺腔内设置有加热盘，所述加热盘上用于设置晶圆，所述加热盘的上方还设置有喷淋上板，通过所述喷淋上板朝向所述晶圆的上方通入工艺气体以用于在所述晶圆的表面成膜，所述加热盘的侧面设置有阻隔结构，以用于阻隔所述工艺气体接触所述晶圆的侧面，避免在所述晶圆的侧面成膜；所述加热盘的表面形成有容置槽，所述晶圆设置在所述容置槽内，所述容置槽的槽壁与水平面之间夹设有倾角，所述晶圆的侧面和所述容置槽的槽壁之间形成间隙，所述阻隔结构包括伸进所述间隙的阻隔脚，以及与所述阻隔脚连接、且设置在所述加热盘侧面的阻隔部；所述阻隔部包括平行设置的第一阻隔部和第二阻隔部，以及连接所述第一阻隔部和所述第二阻隔部的连接部，以形成半封闭的结构包裹在所述加热盘的侧面,所述第一阻隔部位于所述加热盘容置所述晶圆的一侧，所述阻隔脚连接在所述第一阻隔部靠近所述晶圆的一侧。
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