西安电子科技大学项水英获国家专利权
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龙图腾网获悉西安电子科技大学申请的专利基于DFB-SA激光器的单片集成光子脉冲神经元实现方法获国家发明授权专利权,本发明授权专利权由国家知识产权局授予,授权公告号为:CN116629333B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-06-06发布的发明授权授权公告中获悉:该发明授权的专利申请号/专利号为:202310387711.8,技术领域涉及:G06N3/067;该发明授权基于DFB-SA激光器的单片集成光子脉冲神经元实现方法是由项水英;张雅慧;郭星星;施跃春;郝跃设计研发完成,并于2023-04-12向国家知识产权局提交的专利申请。
本基于DFB-SA激光器的单片集成光子脉冲神经元实现方法在说明书摘要公布了:本发明公开了一种基于DFB‑SA的单片集成光子脉冲神经元实现方法,包括:对DFB‑SA激光器进行功率测试,以确定DFB‑SA激光器的工作电压和偏置电流范围;对DFB‑SA激光器进行光谱测试,以确定DFB‑SA激光器的自身波长范围;根据DFB‑SA激光器的自身波长范围确定需注入的光信号波长范围;基于确定的偏置电流范围向DFB‑SA激光器的增益区施加偏置电流,同时基于确定的工作电压向DFB‑SA激光器的SA区施加反向偏置电压,并在上述条件下,按照确定的注入光信号波长范围向DFB‑SA激光器注入光信号,观察DFB‑SA激光器的输出光谱,以确定与待处理目标对应的注入光信号波形,从而实现光子脉冲神经元的功能。该方法实现方式简单,降低了系统复杂度和功耗,且具有较高的输出功率。
本发明授权基于DFB-SA激光器的单片集成光子脉冲神经元实现方法在权利要求书中公布了:1.一种基于DFB-SA激光器的单片集成光子脉冲神经元实现方法,其特征在于,包括:步骤1:对DFB-SA激光器进行功率测试,以确定DFB-SA激光器的工作电压和偏置电流范围;包括:针对某一DFB-SA激光器,分别对其SA区和增益区施加反向偏置电压和偏置电流,并通过遍历的方式获得该DFB-SA激光器的工作电压;基于所述工作电压将DFB-SA激光器的反向偏置电压设为固定值,并设置DFB-SA激光器的偏置电流由小至大变化,同时检测对应的输出功率;当DFB-SA激光器被激发从而输出功率时,记录对应的偏置电流为激发阈值电流;继续调大电流,并利用示波器观测DFB-SA激光器的自脉冲状态,找到可以使激光器发自脉冲的偏置电流,记为自脉冲阈值电流;设定偏置电流在所述激发阈值电流和所述自脉冲阈值电流之间,以促使DFB-SA激光器进入激发状态下工作;步骤2:对DFB-SA激光器进行光谱测试,以确定DFB-SA激光器的自身波长范围;步骤3:根据DFB-SA激光器的自身波长范围确定需注入的光信号波长范围;步骤4:基于确定的偏置电流范围向所述DFB-SA激光器的增益区施加偏置电流,同时基于确定的工作电压向所述DFB-SA激光器的SA区施加反向偏置电压,并在上述条件下,按照确定的注入光信号波长范围向DFB-SA激光器注入光信号,观察DFB-SA激光器的输出光谱,以确定与待处理目标对应的注入光信号波形,从而实现光子脉冲神经元的功能;步骤5:对基于DFB-SA激光器实现的光子脉冲神经元的阈值特性、时域累积特性以及不应期特性进行检测,以验证单片集成光子脉冲神经元的特性。
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