华虹半导体(无锡)有限公司朱朕获国家专利权
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龙图腾网获悉华虹半导体(无锡)有限公司申请的专利APF沉积腔清洗方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115547885B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-06-06发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202211155840.6，技术领域涉及：H01L21/67；该发明授权APF沉积腔清洗方法是由朱朕;唐鹏;金立培设计研发完成，并于2022-09-22向国家知识产权局提交的专利申请。
本APF沉积腔清洗方法在说明书摘要公布了：本申请涉及半导体集成电路制造技术领域，具体涉及一种APF沉积腔清洗方法。包括以下步骤：向沉积腔中喷淋含氟等离子体束，清洗沉积腔中的硅化物；向沉积腔中喷淋氧离子，清洗沉积腔中的APF；在进行向沉积腔中喷淋氧离子，清洗沉积腔中的APF的步骤时，设于沉积腔中的加热台和夹爪依次进行以下步骤：使得加热台位于第一位置处，使得夹爪处于第一角度处，在充斥氧离子的沉积腔中进行清洗；使得加热台由第一位置下降，直至第二位置处，使得夹爪由第一角度处旋转，直至处于第二角度处，在充斥氧离子的沉积腔中进行清洗；使得加热台由第二位置上升，直至第一位置处，使得夹爪由第二角度处旋转，直至处于第一角度处，在充斥氧离子的沉积腔中进行清洗。
本发明授权APF沉积腔清洗方法在权利要求书中公布了：1.一种APF沉积腔清洗方法，其特征在于，所述APF沉积腔清洗方法包括以下步骤：向所述沉积腔中喷淋含氟等离子体束，清洗所述沉积腔中的硅化物；向所述沉积腔中喷淋氧离子，清洗所述沉积腔中的APF；在进行所述向所述沉积腔中喷淋氧离子，清洗所述沉积腔中的APF的步骤时，设于所述沉积腔中的加热台和夹爪依次进行以下步骤：使得所述加热台位于第一位置处，使得夹爪处于第一角度处，在充斥氧离子的沉积腔中进行清洗；使得所述加热台由所述第一位置下降，直至第二位置处，使得夹爪由所述第一角度处旋转，直至处于第二角度处，在充斥氧离子的沉积腔中进行清洗；使得所述加热台由所述第二位置上升，直至第一位置处，使得夹爪由所述第二角度处旋转，直至处于第一角度处，在充斥氧离子的沉积腔中进行清洗。
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