长鑫存储技术有限公司王业军获国家专利权
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龙图腾网获悉长鑫存储技术有限公司申请的专利监测侧壁膜层厚度的方法、系统、设备及介质获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115910824B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-06-06发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202211146377.9，技术领域涉及：H01L21/66；该发明授权监测侧壁膜层厚度的方法、系统、设备及介质是由王业军;刘凌海设计研发完成，并于2022-09-20向国家知识产权局提交的专利申请。
本监测侧壁膜层厚度的方法、系统、设备及介质在说明书摘要公布了：本公开提供了一种监测侧壁膜层厚度的方法、系统、设备及介质，涉及半导体技术领域。所述方法包括在衬底表面器件区内的初始功能结构的侧壁形成目标膜层，采用在线测量设备分别对初始功能结构和目标膜层进行测量，得到初始关键尺寸和目标关键尺寸以确定目标膜层的量测厚度，根据目标膜层的量测厚度和切片厚度，确定在线测量设备对目标膜层的测量偏差，提供待测衬底，待测衬底的器件区包括多个初始功能结构，建立统计制程管制表，以结合测量偏差，通过在线测量设备对在待测衬底的初始功能结构侧壁形成的目标膜层的量测厚度进行监测，以实现侧壁膜层厚度的在线监测，精确控制目标膜层的厚度，提升半导体器件性能。
本发明授权监测侧壁膜层厚度的方法、系统、设备及介质在权利要求书中公布了：1.一种监测侧壁膜层厚度的方法，其特征在于，包括：提供衬底，衬底的表面形成有器件区，器件区内包括多个沿第一方向周期性排布的初始功能结构；采用在线测量设备对预先选定的初始功能结构进行测量，得到所述初始功能结构的初始关键尺寸；在所述预先选定的初始功能结构的侧壁形成目标膜层以得到目标功能结构；采用在线测量设备对所述目标功能结构进行测量，得到所述目标功能结构的目标关键尺寸；根据所述初始关键尺寸和所述目标关键尺寸，得到所述目标膜层的量测厚度；对所述目标功能结构进行切片，得到所述目标膜层的切片厚度，根据所述目标膜层的所述量测厚度和所述切片厚度的差值，确定所述在线测量设备对目标膜层的测量偏差；提供待测衬底，所述待测衬底的器件区包括多个所述初始功能结构，建立统计制程管制表，以结合所述测量偏差，通过所述在线测量设备对在所述待测衬底的所述初始功能结构侧壁形成的目标膜层的量测厚度进行监测。
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