广东工业大学罗翔远获国家专利权
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龙图腾网获悉广东工业大学申请的专利一种基于破膜的芯片间距控制方法和装置获国家发明授权专利权,本发明授权专利权由国家知识产权局授予,授权公告号为:CN119517823B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-06-10发布的发明授权授权公告中获悉:该发明授权的专利申请号/专利号为:202411561171.1,技术领域涉及:H01L21/68;该发明授权一种基于破膜的芯片间距控制方法和装置是由罗翔远;陈云;马莉;肖嘉薇;贺梓霖;侯茂祥;陈新设计研发完成,并于2024-11-04向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种基于破膜的芯片间距控制方法和装置在说明书摘要公布了:本发明涉及芯片转移封装技术领域,提出一种基于破膜的芯片间距控制方法和装置,所述芯片间距控制方法包括:S1:生成第一位置矩阵,根据第一位置矩阵构建芯片的目标矩阵;S2:构建芯片的第一变形矢量集合;S3:生成第二变形矢量集合,根据二次样条插值法和第二变形矢量集合得出每个芯片与针孔对应的单位变形矢量;S4:迭代目标函数,在迭代目标函数时调整针孔坐标;S5:对针孔数量进行调节,并将针孔数量与芯片数量进行比对,根据比对结果决定调节目标矩阵并跳转至步骤S2或者执行步骤S6;S6:基于调整后的针孔坐标操控针头刺破背膜。本发明优化芯片间距以解决扩晶后芯片间距不均匀,后续转移工序转移精度低的问题。
本发明授权一种基于破膜的芯片间距控制方法和装置在权利要求书中公布了:1.一种基于破膜的芯片间距控制方法,其特征在于,所述芯片间距控制方法包括步骤:S1:基于破膜前每颗芯片的位置坐标生成第一位置矩阵,根据第一位置矩阵构建芯片的目标矩阵;S2:根据第一位置矩阵和目标矩阵构建芯片的第一变形矢量集合;S3:基于破膜后每颗芯片的位置坐标和第一位置矩阵生成第二变形矢量集合,根据二次样条插值法和第二变形矢量集合得出每个芯片与针孔对应的单位变形矢量;S4:基于所有的单位变形矢量和第一变形矢量集合迭代目标函数,在迭代目标函数时调整针孔坐标;S5:基于目标函数的值和预设的期望值对针孔数量进行调节,并将针孔数量与芯片数量进行比对,根据比对结果决定调节目标矩阵并跳转至步骤S2或者执行步骤S6;S6:基于调整后的针孔坐标操控针头刺破背膜。
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