杭州士兰集昕微电子有限公司雷国鹏获国家专利权
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龙图腾网获悉杭州士兰集昕微电子有限公司申请的专利半导体器件的布线结构及半导体器件获国家实用新型专利权，本实用新型专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN222966138U 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-06-10发布的实用新型授权公告中获悉：该实用新型的专利申请号/专利号为：202421939119.0，技术领域涉及：H01L23/498；该实用新型半导体器件的布线结构及半导体器件是由雷国鹏;赵学峰;陈文伟;朱国锋;席彤彤;韩娟丽设计研发完成，并于2024-08-09向国家知识产权局提交的专利申请。
本半导体器件的布线结构及半导体器件在说明书摘要公布了：本实用新型提供了一种半导体器件的布线结构及半导体器件，半导体器件包括：衬底；氧化层，位于所述衬底上；阻挡层，位于所述氧化层上，所述阻挡层中形成有暴露出所述氧化层的第一开口；金属层，位于所述阻挡层上，所述金属层作为所述半导体器件的布线结构，所述金属层中形成有暴露出所述氧化层的第二开口，所述第二开口位于所述第一开口的顶部，所述第二开口的侧壁顶部为圆角，所述圆角为所述第二开口的侧壁与所述金属层顶面的圆滑过渡连接。本实用新型使得能够提高半导体器件的可靠性。
本实用新型半导体器件的布线结构及半导体器件在权利要求书中公布了：1.一种半导体器件的布线结构，其特征在于，半导体器件包括：衬底；氧化层，位于所述衬底上；阻挡层，位于所述氧化层上，所述阻挡层中形成有暴露出所述氧化层的第一开口；金属层，位于所述阻挡层上，所述金属层作为所述半导体器件的布线结构，所述金属层中形成有暴露出所述氧化层的第二开口，所述第二开口位于所述第一开口的顶部，所述第二开口的侧壁顶部为圆角，所述圆角为所述第二开口的侧壁与所述金属层顶面的圆滑过渡连接。
如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人杭州士兰集昕微电子有限公司，其通讯地址为：310018 浙江省杭州市钱塘新区10号大街(东)308号13幢；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。
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