广州增芯科技有限公司康小磊获国家专利权
买专利卖专利找龙图腾，真高效！ 查专利查商标用IPTOP,全免费！专利年费监控用IP管家,真方便！
龙图腾网获悉广州增芯科技有限公司申请的专利一种多晶硅侧墙处金属硅化物残留的测试结构获国家实用新型专利权，本实用新型专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN222966142U 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-06-10发布的实用新型授权公告中获悉：该实用新型的专利申请号/专利号为：202421931932.3，技术领域涉及：H01L23/544；该实用新型一种多晶硅侧墙处金属硅化物残留的测试结构是由康小磊;杨林荣;吴方锐设计研发完成，并于2024-08-09向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种多晶硅侧墙处金属硅化物残留的测试结构在说明书摘要公布了：本实用新型提供了一种多晶硅侧墙处金属硅化物残留的测试结构，包括：位于衬底内的内测试区以及环绕内测试区的外测试区；位于内测试区和外测试区之间的第一栅极结构，第一栅极结构包括第一栅极和位于第一栅极侧壁表面的外侧墙和内侧墙；位于内测试区表面和外测试区表面的第一金属硅化物层；位于第一栅极表面的第二金属硅化物层；位于外测试区的第一金属硅化物层表面、并分别沿第一方向和沿第二方向分布的若干第一电互连结构；位于内测试区的第一金属硅化物层表面的第二电互连结构；及若干第三电互连结构，每个第三电互连结构均位于第二金属硅化物层表面。该结构使得内部侧墙和外部侧墙可以进行单独测试，互不干扰，且不存在检测盲区。
本实用新型一种多晶硅侧墙处金属硅化物残留的测试结构在权利要求书中公布了：1.一种多晶硅侧墙处金属硅化物残留的测试结构，所述测试结构设置于晶圆的切割道内，其特征在于，所述测试结构包括：内测试区以及环绕所述内测试区的外测试区，位于衬底内；第一栅极结构，所述第一栅极结构首尾相接，位于所述内测试区和外测试区之间，所述第一栅极结构包括第一栅极和位于所述第一栅极侧壁表面的外侧墙和内侧墙；第一金属硅化物层，所述第一金属硅化物层分别位于所述内测试区表面和所述外测试区表面；第二金属硅化物层，所述第二金属硅化物层位于所述第一栅极表面；若干第一电互连结构，所述第一电互连结构位于所述外测试区的所述第一金属硅化物层表面、并分别沿第一方向和沿第二方向分布，所述第一方向和第二方向相垂直；第二电互连结构，所述第二电互连结构位于所述内测试区的所述第一金属硅化物层表面；若干第三电互连结构，每个所述第三电互连结构均位于所述第二金属硅化物层表面。
如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人广州增芯科技有限公司，其通讯地址为：511365 广东省广州市增城区宁西街创优路333号；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。
免责声明
1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
开放平台
担保交易
惠及多方
会员特惠
专属平台
适合多方
数据共享
功能齐全
皖公网安备 34010402703815号