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龙图腾网恭喜成都辰显光电有限公司申请的专利LED芯片的转移方法及LED芯片获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN116137304B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-06-10发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202111358050.3，技术领域涉及：H10H20/01；该发明授权LED芯片的转移方法及LED芯片是由田文亚;盛翠翠;马磊;董小彪;葛泳;李蒙蒙;高文龙设计研发完成，并于2021-11-16向国家知识产权局提交的专利申请。

本LED芯片的转移方法及LED芯片在说明书摘要公布了：本申请实施例提供一种LED芯片的转移方法及LED芯片。该LED芯片的转移方法包括：提供衬底和临时基板；其中，临时基板上形成有胶层；在衬底上制备LED芯片；使LED芯片背离衬底的一侧表面与临时基板的胶层连接，并使LED芯片的至少部分结构嵌设于胶层内；使衬底与LED芯片分离。该LED芯片的转移方法有效提高了LED芯片的剥离良率。

本发明授权LED芯片的转移方法及LED芯片在权利要求书中公布了：1.一种LED芯片的转移方法，其特征在于，包括：提供衬底和临时基板；其中，所述临时基板上形成有胶层；在所述衬底上制备LED芯片；使所述LED芯片背离所述衬底的一侧表面与所述临时基板的胶层连接，并使所述LED芯片的至少部分结构嵌设于所述胶层内；使所述衬底与所述LED芯片分离；所述在所述衬底上制备LED芯片的步骤具体包括：在所述衬底上形成外延层；其中，所述外延层具有第一类型阱区和第二类型阱区；在所述外延层背离所述衬底的一侧表面形成绝缘反射层，并对所述绝缘反射层进行开孔以至少露出所述外延层的第一类型阱区和第二类型阱区；在所述外延层的第一类型阱区和第二类型阱区分别形成第一电极和第二电极，以制得LED芯片；在所述外延层的第一类型阱区和第二类型阱区分别形成所述第一电极和所述第二电极后，所述第一类型阱区的部分区域和或所述第二类型阱区的部分区域通过所述开孔露出；所述将所述LED芯片背离所述衬底的一侧表面与所述临时基板的胶层连接，并使所述LED芯片的至少部分结构嵌设于所述胶层内的步骤具体包括：将所述LED芯片背离所述衬底的一侧表面与所述临时基板的胶层连接，并使所述绝缘反射层的至少部分结构嵌设于所述胶层内，所述胶层填充于所述开孔内。

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