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龙图腾网恭喜力晶积成电子制造股份有限公司申请的专利可控硅整流器获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115050734B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-06-10发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202110253917.2，技术领域涉及：H10D89/60；该发明授权可控硅整流器是由刘俊杰;宋文强;何青松设计研发完成，并于2021-03-09向国家知识产权局提交的专利申请。

本可控硅整流器在说明书摘要公布了：本发明提供一种可控硅整流器包括：第一导电型的衬底、第二导电型的深阱区、第一导电型的阱区、第二导电型的阱区、第一导电型的第一、第二与第三重掺杂有源区、第二导电型的第一、第二与第三重掺杂有源区以及第一、第二与第三浅沟槽隔离结构。通过在第一导电型的阱区中嵌入了一个由第二导电型的第三重掺杂有源区与第一导电型的阱区构成的反向二极管，并在第一导电型的第一重掺杂有源区与第二导电型的阱区形成一个正向二极管。通过共用跨接不同导电型的阱区的第二导电型的第三重掺杂有源区，形成了两个背靠背的二极管。因此ESD电流可从表面二极管构成的电路泄放，以提高器件的维持电压并减少放电电流路径长度。

本发明授权可控硅整流器在权利要求书中公布了：1.一种可控硅整流器，其特征在于，包括：第一导电型的衬底；第二导电型的深阱区，形成在所述衬底内；第一导电型的阱区以及第二导电型的阱区，并列形成在所述深阱区内；第二导电型的第一重掺杂有源区以及第一导电型的第一重掺杂有源区，设置在所述第二导电型的阱区内，所述第二导电型的第一重掺杂有源区以及所述第一导电型的第一重掺杂有源区均与阳极相连，且两者之间设置有第一浅沟槽隔离结构；第二导电型的第二重掺杂有源区以及第一导电型的第二重掺杂有源区，设置在所述第一导电型的阱区内，所述第二导电型的第二重掺杂有源区以及所述第一导电型的第二重掺杂有源区均与阴极相连，且两者之间设置有第二浅沟槽隔离结构；第二导电型的第三重掺杂有源区，跨接所述第一导电型的阱区以及所述第二导电型的阱区，其中所述第二导电型的第三重掺杂有源区与所述第一导电型的第一重掺杂有源区间隔一第一距离，且所述第一导电型的第一重掺杂有源区与所述第二导电型的阱区形成一正向二极管；第一导电型的第三重掺杂有源区，设置在所述第二导电型的第二重掺杂有源区以及所述第二导电型的第三重掺杂有源区之间的所述第一导电型的阱区内，其中所述第二导电型的第二重掺杂有源区与所述第一导电型的第三重掺杂有源区之间设置有第三浅沟槽隔离结构，所述第二导电型的第三重掺杂有源区与所述第一导电型的第三重掺杂有源区间隔一第二距离，且所述第二导电型的第三重掺杂有源区与所述第一导电型的阱区形成一反向二极管；第一栅极，形成在所述第一导电型的第一重掺杂有源区以及所述第二导电型的第三重掺杂有源区之间的所述衬底上；以及第二栅极，形成在所述第一导电型的第三重掺杂有源区以及所述第二导电型的第三重掺杂有源区之间的所述衬底上，其中所述第一栅极、所述第二栅极与所述第二导电型的第三重掺杂有源区电连接。

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