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龙图腾网恭喜三井化学东赛璐株式会社申请的专利保护膜及其粘贴方法以及半导体部件的制造方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN113614888B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-06-10发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202080024347.3，技术领域涉及：H01L21/304；该发明授权保护膜及其粘贴方法以及半导体部件的制造方法是由野上昌男;森本哲光设计研发完成，并于2020-03-26向国家知识产权局提交的专利申请。

本保护膜及其粘贴方法以及半导体部件的制造方法在说明书摘要公布了：本发明提供保护膜的粘贴方法、半导体部件的制造方法、在粘贴方法中利用的保护膜，该保护膜能抑制因半导体晶片的主面的台阶而引起的不良情况的产生，粘贴方法具备：配置工序，以覆盖半导体晶片10的主面10A的方式配置保护膜20；和粘贴工序，将保护膜20按压并粘贴于主面10A，主面10A具有第一区域12和第二区域13，第一区域12配置有凸块11，第二区域13是包含主面10A的周缘的至少一部分的区域且是未配置有凸块11的区域，粘贴工序包括将保护膜20在其厚度方向上压缩的压缩工序，压缩工序使用用于将保护膜20向主面10A按压的按压构件32和沿着第二区域13的外周缘设置的支撑构件33来进行。

本发明授权保护膜及其粘贴方法以及半导体部件的制造方法在权利要求书中公布了：1.一种保护膜的粘贴方法，其特征在于，具备：配置工序，以覆盖半导体晶片的主面的方式配置保护膜；以及粘贴工序，将所述保护膜按压并粘贴于所述主面，所述主面具有第一区域和第二区域，所述第一区域配置有凸块，所述第二区域是包含该主面的周缘的至少一部分的区域且是未配置凸块的区域，所述粘贴工序包括将所述保护膜在其厚度方向上压缩的压缩工序，所述压缩工序使用用于将所述保护膜向所述主面按压的按压构件和沿着所述第二区域的外周缘设置的支撑构件来进行，所述配置工序是在所述支撑构件的内侧设置所述半导体晶片之后，将贴附于环状框的所述保护膜以覆盖所述半导体晶片的所述主面的方式配置的工序，所述压缩工序是通过使所述支撑构件支撑所述保护膜的边缘部而将所述边缘部夹在所述支撑构件与所述按压构件之间，由此对所述边缘部进行压缩，从而限制所述保护膜的膜厚部要向比所述主面的周缘更靠外侧流动的工序。

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