恭喜长江存储科技有限责任公司郑亮获国家专利权
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龙图腾网恭喜长江存储科技有限责任公司申请的专利一种上电极设备以及等离子体处理装置获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN111370287B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-06-10发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202010215168.X，技术领域涉及：H01J37/32；该发明授权一种上电极设备以及等离子体处理装置是由郑亮;刘青松;豆海清;卢刚;张光轩;曾最新设计研发完成，并于2020-03-24向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种上电极设备以及等离子体处理装置在说明书摘要公布了：本申请实施例提供了一种上电极设备，所述上电极设备应用于等离子体处理装置中，所述上电极设备用于对反应气体进行加压，以将所述反应气体激发成等离子态并作用于待处理晶圆上；所述上电极设备包括：第一部分，所述第一部分为所述上电极设备的中心部分；其中，所述第一部分包括面向所述待处理晶圆凸出的第一表面区域，所述第一表面区域在第一方向上的宽度大于第二方向上的宽度，所述第一方向和所述第二方向为沿所述上电极设备平面方向延伸的两彼此垂直的方向。
本发明授权一种上电极设备以及等离子体处理装置在权利要求书中公布了：1.一种上电极设备，其特征在于，所述上电极设备应用于等离子体处理装置中，所述上电极设备用于对反应气体进行加压，以将所述反应气体激发成等离子态并作用于待处理晶圆上；所述上电极设备包括：第一部分，所述第一部分为所述上电极设备的中心部分；其中，所述第一部分包括面向所述待处理晶圆凸出的第一表面区域，所述第一表面区域在第一方向上的宽度与第二方向上的宽度之比为1.5至3，且所述第一部分的厚度沿所述第二方向的变化程度大于沿所述第一方向的变化程度，所述第一方向和所述第二方向为沿所述上电极设备平面方向延伸的两彼此垂直的方向；所述第一表面区域的外周边沿所述第一方向的顶部呈锥形，所述第一表面区域的外周边沿所述第二方向的顶部呈圆弧形；所述待处理晶圆为三维存储器的衬底，所述三维存储器上包括栅极线层狭缝的形成区域，所述栅极线层狭缝的延伸方向与所述第二方向相对应。
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