恭喜上海必修福企业管理有限公司唐万福获国家专利权
买专利卖专利找龙图腾,真高效! 查专利查商标用IPTOP,全免费!专利年费监控用IP管家,真方便!
龙图腾网恭喜上海必修福企业管理有限公司申请的专利低比电阻物质处理方法及处理装置获国家发明授权专利权,本发明授权专利权由国家知识产权局授予,授权公告号为:CN113692317B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-06-10发布的发明授权授权公告中获悉:该发明授权的专利申请号/专利号为:202080024417.5,技术领域涉及:B03C3/40;该发明授权低比电阻物质处理方法及处理装置是由唐万福;王大祥;段志军;奚勇设计研发完成,并于2020-03-19向国家知识产权局提交的专利申请。
本低比电阻物质处理方法及处理装置在说明书摘要公布了:一种低比电阻物质处理方法及处理装置,处理方法包括如下步骤:用导电极301将电子传导给低比电阻物质,使低比电阻物质带电;用吸附极302吸引带电的低比电阻物质,使带电的低比电阻物质向所述吸附极302移动。该方法通过传导电子的方式使低比电阻物质带电,克服了低比电阻物质带电后容易失电所带来的问题,使得低比电阻物质在失去电子后又能快速得到电子,增加了使低比电阻物质带电的几率,并使得低比电阻物质保持带电状态,这样,吸附极302就能持续给低比电阻物质施加吸引力,以将低比电阻物质吸附住,并使得本低比电阻物质处理方法对低比电阻物质的收集能力强、收集效率高。
本发明授权低比电阻物质处理方法及处理装置在权利要求书中公布了:1.一种低比电阻物质处理方法,包括如下步骤:所述低比电阻物质由进口进入流道中,并朝向出口方向移动;用导电极通过与所述低比电阻物质接触的方式将电子传导给所述低比电阻物质,使所述低比电阻物质带电;用吸附极吸引带电的所述低比电阻物质,使带电的所述低比电阻物质向所述吸附极移动;所述导电极的截面面积与所述流道的截面面积比为99%-70%;所述导电极上设有至少一个通孔,使所述低比电阻物质通过所述导电极的通孔,使所述低比电阻物质带电;所述导电极平行于所述吸附极;所述导电极与上电电源的一个电极电性连接,所述吸附极与上电电源的另一个电极电性连接;所述上电电源的上电驱动电压小于起始起晕电压;所述上电电源的上电驱动电压与所述导电极和所述吸附极之间的间距的比为0.1-2kvmm。
如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术,可联系本专利的申请人或专利权人上海必修福企业管理有限公司,其通讯地址为:201112 上海市闵行区联航路1188号10幢404B室;或者联系龙图腾网官方客服,联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。
1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息,力求客观、公正,但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解,仅供参考使用,不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。