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恭喜香港科技大学深圳研究院陈敬获国家专利权

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龙图腾网恭喜香港科技大学深圳研究院申请的专利氮化镓功率器件的过流保护电路、提高反应速度的方法获国家发明授权专利权,本发明授权专利权由国家知识产权局授予,授权公告号为:CN111193502B

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-06-10发布的发明授权授权公告中获悉:该发明授权的专利申请号/专利号为:202010150766.3,技术领域涉及:H03K17/082;该发明授权氮化镓功率器件的过流保护电路、提高反应速度的方法是由陈敬;徐涵;唐高飞设计研发完成,并于2020-03-06向国家知识产权局提交的专利申请。

氮化镓功率器件的过流保护电路、提高反应速度的方法在说明书摘要公布了:本发明涉及氮化镓功率器件的过流保护电路、提高反应速度的方法。基于集成型氮化镓功率器件的过流保护电路,包括监测电路、屏蔽信号产生电路和逻辑控制模块,监测电路通过所述逻辑控制模块分别电连接屏蔽信号产生电路和栅极驱动器,栅极驱动器电连接高电子迁移率功率晶体管,高电子迁移率功率晶体管顺序连接监测电路和负载。

本发明授权氮化镓功率器件的过流保护电路、提高反应速度的方法在权利要求书中公布了:1.一种基于集成型氮化镓功率器件的过流保护电路,其特征在于,包括监测电路⑴、屏蔽信号产生电路⑵和逻辑控制模块⑶,所述监测电路⑴通过所述逻辑控制模块⑶分别电连接屏蔽信号产生电路⑵和栅极驱动器,所述栅极驱动器电连接高电子迁移率功率晶体管M1,所述高电子迁移率功率晶体管M1顺序连接监测电路⑴和负载;在正常情况下,t0时刻控制信号VDR为低电平,功率器件处于关断状态,VDS为高电平,监测电路⑴反馈一个高电平VS,由于屏蔽支路Vblank的屏蔽作用,逻辑控制模块⑶产生一个低电平,不会触发保护;在t1时刻,控制信号VDR由低变高,但由于RC回路的延时效应,屏蔽支路的Vblank仍旧是低电平,使得在t1到t2的时间段内逻辑控制模块⑶的VOCE为低电平,功率器件将正常打开,负载端的VDS将下降至一个稳定值;当到达t2时,负载端的VDS已经下降到一个稳定值,且屏蔽支路的Vblank也变成了高电平,此时若功率器件中的电流低于限定值,负载端的VDS则不超过阈值使得VS由高电平变为低电平,从而使得功率器件正常工作;反之,此时若功率器件中的电流高于限定值,负载端的VDS则会超过阈值使得VS维持在高电平,当屏蔽时间结束后,屏蔽支路的Vblank变为高电平,器件将被强制关断。

如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术,可联系本专利的申请人或专利权人香港科技大学深圳研究院,其通讯地址为:518000 广东省深圳市南山区高新科技产业园南区粤兴一道9号香港科大深圳产学研大楼415室;或者联系龙图腾网官方客服,联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。

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