恭喜三星电子株式会社R.M.哈彻获国家专利权
买专利卖专利找龙图腾，真高效！ 查专利查商标用IPTOP,全免费！专利年费监控用IP管家,真方便！
龙图腾网恭喜三星电子株式会社申请的专利低输出电流和高开/关比的抗变化3T3R二进制权重单元获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN111640463B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-06-10发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202010122849.1，技术领域涉及：G11C13/00；该发明授权低输出电流和高开/关比的抗变化3T3R二进制权重单元是由R.M.哈彻;T.拉克希特;J.基特尔;R.森古普塔;D.帕尔;洪俊顾设计研发完成，并于2020-02-27向国家知识产权局提交的专利申请。
本低输出电流和高开/关比的抗变化3T3R二进制权重单元在说明书摘要公布了：本文公开了一种低输出电流和高开关比的抗变化3T3R二进制权重单元和设备。权重单元包括：第一场效应晶体管FET和连接到第一FET的漏极的第一电阻性存储器元件；第二FET和连接到第二FET的漏极的第二电阻性存储器元件，第一晶体管的漏极FET连接到第二FET的栅极，第二FET的漏极连接到第一FET的栅极；第三FET；以及连接到第三FET的漏极的负载电阻器。
本发明授权低输出电流和高开/关比的抗变化3T3R二进制权重单元在权利要求书中公布了：1.一种权重单元，包括：第一场效应晶体管FET和连接到第一FET的漏极的第一电阻性存储器元件；第二FET和连接到所述第二FET的漏极的第二电阻性存储器元件，所述第一FET的漏极连接到所述第二FET的栅极，并且所述第二FET的漏极连接到所述第一FET的栅极，第三FET；以及连接到所述第三FET的漏极的负载电阻器；其中，所述第一FET的源极的输入包括第一编程电压，并且所述第二FET的源极的输入包括与第一编程电压相反的第二编程电压，使得从所述第三FET的源极输出的电流指示所述权重单元的逻辑权重。
如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人三星电子株式会社，其通讯地址为：韩国京畿道；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。
免责声明
1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
开放平台
担保交易
惠及多方
会员特惠
专属平台
适合多方
数据共享
功能齐全
皖公网安备 34010402703815号