恭喜福建省晋华集成电路有限公司赖惠先获国家专利权
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龙图腾网恭喜福建省晋华集成电路有限公司申请的专利存储器获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114050156B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-06-10发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202111335128.X，技术领域涉及：H10B12/00；该发明授权存储器是由赖惠先;林昭维;朱家仪;童宇诚;吕前宏设计研发完成，并于2020-01-21向国家知识产权局提交的专利申请。
本存储器在说明书摘要公布了：本发明提供了一种存储器。针对边缘位置的第一位线，使其靠近记忆体区的一侧设置有第一绝缘接触柱，以及靠近周边区的一侧设置有第二绝缘接触柱，从而使第一绝缘接触柱和对应的有源区即，位于边缘位置的有源区之间为电性绝缘，进而使得所形成的位于边缘位置的存储单元构成非功能性存储单元。如此，即避免了边缘位置的非功能性存储单元由于其性能异常而对存储器的器件性能造成不利影响。
本发明授权存储器在权利要求书中公布了：1.一种存储器，其特征在于，包括：衬底，所述衬底上定义有记忆体区和周边区，所述周边区位于所述记忆体区的外侧，以及所述衬底的所述记忆体区中形成有多个有源区；位线组，形成在所述衬底的所述记忆体区中，所述位线组包括多条沿着预定方向延伸的位线，所述位线与所述多个有源区中对应的有源区相交，以及所述位线组中排布在边缘位置的位线构成第一位线，所述位线组中位于所述第一位线远离周边区一侧的位线构成第二位线；以及，在所述第一位线靠近所述第二位线的一侧设置有第一绝缘接触柱，在所述第一位线远离所述第二位线的一侧上设置有第二绝缘接触柱，所述第一绝缘接触柱形成在记忆体区中并和相接触的有源区电性绝缘，所述第二绝缘接触柱形成在周边区中，并且所述第一绝缘接触柱的顶表面还高于所述第二绝缘接触柱的顶表面。
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1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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