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龙图腾网恭喜新磊半导体科技(苏州)股份有限公司申请的专利一种半导体外延层抗腐蚀性标定方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119880767B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-06-13发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202510393247.2，技术领域涉及：G01N17/00；该发明授权一种半导体外延层抗腐蚀性标定方法是由郭帅;郭永平;蒋建设计研发完成，并于2025-03-31向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种半导体外延层抗腐蚀性标定方法在说明书摘要公布了：本发明提供一种半导体外延层抗腐蚀性标定方法，涉及半导体测试技术领域。该方法包括：采用HCl腐蚀液腐蚀InGaP外延层；采用显微镜观察样品表面，测量获得圆形腐蚀图形的尺寸随腐蚀时间变化的数据；对数据进行线性拟合，以获得线性函数关系；根据线性函数关系，计算获得图形尺寸为零时对应的腐蚀时间。本方法通过测量腐蚀液穿透AlGaAs外延层形成的腐蚀图形尺寸随时间变化关系，可以计算推测出AlGaAs外延层未被穿透的最长抗腐蚀时间，实现对AlGaAs外延层抗腐蚀性的标定，从而为器件工艺的制定提供了依据。

本发明授权一种半导体外延层抗腐蚀性标定方法在权利要求书中公布了：1.一种半导体外延层抗腐蚀性标定方法，其特征在于，所述方法采用测试样品来对AlGaAs外延层的抗腐蚀性进行标定，所述样品的结构包括第一InGaP外延层、在第一InGaP外延层上的AlGaAs外延层以及在AlGaAs外延层上的第二InGaP外延层，所述方法包括： 步骤a、采用预先配制的HCl腐蚀液腐蚀第二InGaP外延层，腐蚀持续时间小于或等于基准时间段，基准时间段为采用所述HCl腐蚀液完全去除第二InGaP外延层的预期时间长度； 步骤b、采用显微镜观察样品表面以及采用HCl腐蚀液对样品进行腐蚀两者交替进行，在显微镜中观察到圆形腐蚀图形之后，测量获得圆形腐蚀图形的尺寸随腐蚀时间变化的数据； 步骤c、对所述数据进行线性拟合，以获得线性函数关系； 步骤d、根据线性函数关系，计算获得圆形腐蚀图形的尺寸为零时对应的腐蚀时间，并将该腐蚀时间作为AlGaAs外延层的抗腐蚀时间。

如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人新磊半导体科技(苏州)股份有限公司，其通讯地址为：215151 江苏省苏州市高新区建林路666号出口加工区配套工业园28号厂房；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。