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龙图腾网恭喜华中科技大学申请的专利一种集成电路互连线的寄生电容提取方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119886022B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-06-13发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202510361148.6，技术领域涉及：G06F30/367；该发明授权一种集成电路互连线的寄生电容提取方法是由王兴晟;张健;蔡子非;穆德江;鄢博洋;程放;缪向水设计研发完成，并于2025-03-26向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种集成电路互连线的寄生电容提取方法在说明书摘要公布了：本发明属于集成电路相关技术领域，具体涉及一种集成电路互连线的寄生电容提取方法，包括：构建导体表面及内部采样点集合；构建由两两互连电容构成的初始值全为零的寄生电容矩阵；生成与每个导体的表面采样点对应的理想表面电势值集合；构建由输入层、单层隐藏层和输出层组成的神经网络结构，以表面采样点为输入，以表面采样点对应的理想表面电势值和神经网络的输出间的均方误差作为损失函数，将泊松方程的格林函数作为隐藏层激活函数，将所有等效点电荷位置作为隐藏层激活函数中心坐标；训练隐藏层各神经元权重系数，对应作为各等效点电荷的等效电荷值，得到每个导体所有等效点电荷的等效电荷值，更新寄生电容矩阵。本发明能实现寄生电容提取。

本发明授权一种集成电路互连线的寄生电容提取方法在权利要求书中公布了：1.一种集成电路互连线的寄生电容提取方法，其特征在于，包括： S1、构建集成电路中每个导体的表面采样点位置坐标集合以及内部采样点位置坐标集合，其中，将每个内部采样点作为一个等效点电荷的位置；构建由所有导体中两两之间的互连电容所构成的初始值全为零的寄生电容矩阵； S2、从所有导体中选取一个作为主导体，设置其理想表面电势值为1，其余作为从导体，设置其理想表面电势值为0；根据每个导体的理想表面电势值，生成与该导体的表面采样点一一对应的理想表面电势值的集合； S3、构建由输入层、单层隐藏层和输出层组成的神经网络结构，其中，以表面采样点位置坐标作为神经网络的输入，以表面采样点一一对应的理想表面电势值和神经网络的输出间的均方误差作为损失函数，神经元的个数与所有导体对应的所有等效点电荷的数量相同，将三维空间中泊松方程的格林函数作为单层隐藏层的激活函数，将所有等效点电荷的位置坐标作为隐藏层激活函数的中心坐标；基于所有导体的表面采样点位置坐标集合以及一一对应的理想表面电势值集合，训练神经网络单层隐藏层中各神经元的权重系数，对应作为各个等效点电荷的等效电荷值，得到每个导体中所有等效点电荷的等效电荷值； S4、采用每个导体中的所有等效点电荷的等效电荷值计算该导体的电荷量，以计算两两导体之间的互连电容，更新所述寄生电容矩阵，重复执行S2，直至每个导体均充当过主导体。

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