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龙图腾网恭喜泰科天润半导体科技(北京)有限公司申请的专利一种高可靠沟槽栅碳化硅VDMOS及其制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119698019B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-06-13发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202510200184.4，技术领域涉及：H10D30/01；该发明授权一种高可靠沟槽栅碳化硅VDMOS及其制备方法是由何佳;施广彦;李昀佶;陈彤设计研发完成，并于2025-02-24向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种高可靠沟槽栅碳化硅VDMOS及其制备方法在说明书摘要公布了：本发明提供了一种高可靠沟槽栅碳化硅VDMOS及其制备方法，所述方法包括：在碳化硅衬底下侧面淀积金属形成漏极金属层，在碳化硅衬底上侧面外延生长，形成漂移层；在漂移层上形成阻挡层，刻蚀，离子注入，形成第一P型阱区、凸起部、低阻一区、低阻二区以及低阻三区，低阻区包括低阻一区、低阻二区以及低阻三区；重新形成阻挡层，刻蚀，离子注入，形成P型源区、N型源区、导电区及保护区；重新形成阻挡层，刻蚀，氧化形成绝缘介质层，所述绝缘介质层上设有沟槽；重新形成阻挡层，刻蚀，淀积金属，形成栅极金属层及源极金属层，去除阻挡层，完成制备；通过对栅极结构和源极结构进行优化设计，实现了提高器件可靠性的目的。

本发明授权一种高可靠沟槽栅碳化硅VDMOS及其制备方法在权利要求书中公布了：1.一种高可靠沟槽栅碳化硅VDMOS的制备方法，其特征在于：包括如下步骤： 步骤1、在碳化硅衬底下侧面淀积金属形成漏极金属层，在碳化硅衬底上侧面外延生长，形成漂移层； 步骤2、在漂移层上形成阻挡层，刻蚀阻挡层形成通孔，向漂移层进行离子注入，形成第一P型阱区以及凸起部，第一P型阱区内侧面连接至凸起部外侧面； 步骤3、向第一P型阱区进行离子注入，形成低阻一区； 步骤4、向第一P型阱区进行离子注入，形成低阻二区； 步骤5、向第一P型阱区进行离子注入，形成低阻三区，低阻区包括低阻一区、低阻二区以及低阻三区； 步骤6、向漂移层进行离子注入，在第一P型阱区上侧面形成P型源区； 步骤7、向漂移层进行离子注入，在低阻区上侧面形成N型源区，所述N型源区外侧面连接至P型源区内侧面； 步骤8、向漂移层进行离子注入，在第一P型阱区上侧面以及凸起部上侧面形成导电区； 步骤9、向漂移层进行离子注入，在导电区上侧面形成保护区； 步骤10、刻蚀漂移层以及第一P型阱区，形成凹槽以及第二P型阱区，第二P型阱区位于凹槽的底部，在凹槽侧壁和底部氧化形成绝缘介质层，绝缘介质层内设有沟槽； 步骤11、淀积金属，在沟槽内形成栅极金属层； 步骤12、淀积金属，在P型源区以及N型源区上侧面形成源极金属层，去除阻挡层，完成制备； 在步骤3-9进行离子注入前，在步骤10中刻蚀漂移层以及第一P型阱区前，以及步骤11-12淀积金属前，均需要去除原阻挡层，重新形成阻挡层，刻蚀阻挡层形成通孔； 低阻区内设有凹槽，N型源区内侧面连接至绝缘介质层外侧面，导电区外侧面和保护区外侧面连接至绝缘介质层内侧面。

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